[發明專利]設計評價輔助系統有效
| 申請號: | 201710761734.5 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107798161B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 田中雅人 | 申請(專利權)人: | 阿自倍爾株式會社 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06Q10/06;G06Q50/04 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖華 |
| 地址: | 日本國東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 設計 評價 輔助 系統 | ||
本發明的設計評價輔助系統對于多回路型加熱裝置加強了以裝置設計為對象的FD/FP功能。設計評價輔助系統包括:劣化指標檢測部(1),其針對每個加熱裝置以及加熱裝置內的每個溫度控制系統檢測作為評價對象的多個多回路型加熱裝置的劣化指標;劣化指標收集部(2),其針對每個相同類型的加熱裝置收集劣化指標檢測部(1)檢測出的劣化指標;初始值存儲部(3),其針對每個加熱裝置以及加熱裝置內的每個溫度控制系統預先存儲作為評價對象的加熱裝置的劣化指標的初始值;以及劣化指標變化提示部(4),其根據劣化指標收集部(2)收集到的劣化指標與存儲于初始值存儲部(3)的劣化指標的初始值算出表示劣化指標的時效變化的數據并加以提示。
技術領域
本發明涉及多個控制器對分別對應的溫度控制區域的溫度進行控制的多回路的溫度控制系統的加熱裝置,特別是涉及提供與加熱裝置的設計改善有關的信息的設計評價輔助系統。
背景技術
在半導體制造裝置中,EES(Equipment Engineering System設備工程系統)已經過渡到實用階段。EES是如下的系統:通過數據檢查半導體制造裝置是否正常工作,從而提高裝置的可靠性、生產率。EES的主要的目的在于,裝置自身為對象的不良情況檢測(FD:Fault Detection故障檢測)、不良情況預測(FP:Fault Prediction故障預測)。
在FD/FP中存在裝置控制器級、模塊級、子系統級、I/O設備級那樣的階層化的處理方式。I/O設備級的主體是傳感器、驅動器。關于驅動器的FD/FP,對于通過(0、1)的比特流的數據(驅動器數據)進行的序列控制的動作尤其可以說進入了實用階段。
另一方面,關于傳感器的FD/FP,將溫度、壓力、流量等過程量作為對象數據。對于這些數據,將全部的數據以msec.級(毫秒級)保存是無法稱之為合理的。因此,提出一種EES對應的基板處理裝置(參照專利文獻1)等,該基板處理裝置將傳感器的數據按照裝置管理的每個處理單位或者每個規定的期間來代表值化,檢查代表值化后的值。所謂的代表值有最大值、最小值、平均值等。如果根據這些代表值能夠實現FD/FP的話,與監控全部的數據的情況相比較,需要的存儲量等能夠大幅地減少從而高效。
此處,關于相當于子系統的控制回路(實行PID控制等的控制器級),像專利文獻2、專利文獻3那樣,提出算出加熱裝置的溫度控制響應的特征的技術。例如如圖13所示,加熱裝置由對作為處理對象的被加熱物進行加熱的加熱處理爐100、電加熱器101、測量加熱處理爐100內的溫度的溫度傳感器102、控制加熱處理爐100內的溫度的溫度控制器103、電力調整器104、電力供給電路105、控制加熱裝置整體的PLC(Programmable Logic Controller可編程邏輯控制器)106構成。溫度控制器103以使溫度傳感器102測量出的溫度PV(控制量)與溫度設定值SP一致的方式算出操作量MV。電力調整器104確定基于操作量MV的電力,并通過電力供給電路105將該確定了的電力供給至電加熱器101。
專利文獻2所公開的技術是在例如圖13所示的加熱裝置中,算出控制對象的處理增益Kp與處理時間常數Tp的比Kp/Tp的技術,專利文獻3所公開的技術是算出控制量PV的最大變化率ΔPVmax的技術。這些技術是為了掌握控制的不良狀態(例如加熱裝置的加熱器的劣化),用于將控制結果代表值化的技術。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2010-219460號公報
專利文獻2:日本專利特開2007-293474號公報
專利文獻3:日本專利特開2014-170343號公報
發明內容
發明要解決的課題
作為使用了代表值的FD/FP,已知有上述那樣的專利文獻2、專利文獻3所公開的技術等。這些可以稱為直接處理控制狀態本身的FD/FP功能。
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