[發(fā)明專利]像素界定層及制造方法、顯示面板及制造方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710761649.9 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107393939B | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張玉欣;程鴻飛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 界定 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種像素界定層及制造方法、顯示面板及制造方法、顯示裝置,屬于顯示技術領域。包括:設置在襯底基板上的矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;每個像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,第二子界定圖案嵌套設置在第一子界定圖案內(nèi),且第二子界定圖案的外邊緣與第一子界定圖案的內(nèi)邊緣連接;其中,第一子界定圖案的厚度大于第二子界定圖案的厚度,第二子界定圖案圍成的區(qū)域為發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域。本發(fā)明解決了相關技術中發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域厚度不均一,導致顯示面板的顯示亮度的均一性較差的問題。本發(fā)明用于像素界定層及顯示面板的制造。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,特別涉及一種像素界定層及制造方法、顯示面板及制造方法、顯示裝置。
背景技術
自發(fā)光的顯示面板通常包括陽極、發(fā)光層和陰極等,例如自發(fā)光的顯示面板可以包括量子點發(fā)光二極管(英文:Quantum Dot Light Emitting Diodes;簡稱:QLED)顯示面板和有機發(fā)光二極管(英文:Organic Light-Emitting Diode;簡稱:OLED)顯示面板等。其中,發(fā)光層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層等,發(fā)光層通常可以采用溶液法制備,例如采用噴墨打印(英文:Ink-Jet Printing;簡稱:IJP)技術制造發(fā)光層。
在制備發(fā)光層的過程中,通常需要先在襯底基板上形成像素界定層,然后將溶解有發(fā)光層的材料的墨水噴淋到像素界定層所圍成的區(qū)域內(nèi),待墨水溶劑蒸發(fā)后形成發(fā)光層。
但是,由于墨水會在像素界定層上攀爬,使得像素界定層限定的發(fā)光區(qū)域中的邊緣區(qū)域(靠近像素界定層)的厚度大于中間區(qū)域的厚度,待墨水溶劑蒸發(fā)形成發(fā)光層后,會出現(xiàn)咖啡環(huán)(英文:coffee ring)現(xiàn)象,導致發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域厚度不均一,從而會導致顯示面板的顯示亮度的均一性較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種像素界定層及制造方法、顯示面板及制造方法、顯示裝置,可以解決相關技術中發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域厚度不均一,導致顯示面板的顯示亮度的均一性較差的問題。所述技術方案如下:
第一方面,提供了一種像素界定層,包括:
設置在襯底基板上的矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;
每個所述像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,所述第二子界定圖案嵌套設置在所述第一子界定圖案內(nèi),且所述第二子界定圖案的外邊緣與所述第一子界定圖案的內(nèi)邊緣連接;
其中,所述第一子界定圖案的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第二子界定圖案圍成的區(qū)域為發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域。
可選的,所述第二子界定圖案為環(huán)狀襯底,所述環(huán)狀襯底嵌套設置在所述第一子界定圖案內(nèi),且所述環(huán)狀襯底的外邊緣與所述第一子界定圖案的內(nèi)邊緣連接。
可選的,所述像素界定圖案還包括設置在所述第二子界定圖案上的凸起結構,所述凸起結構的厚度與所述第二子界定圖案的厚度之和小于所述第一子界定圖案的厚度。
可選的,所述凸起結構為一體結構,或者,所述凸起結構包括沿所述第二子界定圖案的延伸方向陣列排布的多個條形結構。
第二方面,提供了一種像素界定層的制造方法,所述方法包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板上形成矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;
其中,每個所述像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,所述第二子界定圖案嵌套設置在所述第一子界定圖案內(nèi),且所述第二子界定圖案的外邊緣與所述第一子界定圖案的內(nèi)邊緣連接,所述第一子界定圖案的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第二子界定圖案圍成的區(qū)域為發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





