[發(fā)明專利]像素界定層及制造方法、顯示面板及制造方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710761649.9 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107393939B | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張玉欣;程鴻飛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 界定 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種像素界定層的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板上形成矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;
其中,每個所述像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,所述第二子界定圖案嵌套設置在所述第一子界定圖案內,且所述第二子界定圖案的外邊緣與所述第一子界定圖案的內邊緣連接,所述第一子界定圖案的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第二子界定圖案圍成的區(qū)域為發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域;
所述像素界定圖案由感光樹脂材料制成,在所述襯底基板上形成矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案,包括:
在所述襯底基板上形成像素界定薄膜層;
從所述像素界定薄膜層遠離所述襯底基板的一側,采用半色調掩膜版對所述像素界定薄膜層進行曝光;
對曝光后的所述像素界定薄膜層進行顯影;
對顯影后的所述像素界定薄膜層進行烘烤處理,以得到所述像素界定圖案;
所述半色調掩膜版包括第一透光區(qū)域、第二透光區(qū)域和遮光區(qū)域,所述第二透光區(qū)域為環(huán)狀區(qū)域,所述第一透光區(qū)域為所述第二透光區(qū)域圍成的區(qū)域,且所述第一透光區(qū)域的透光度大于所述第二透光區(qū)域的透光度,所述遮光區(qū)域為所述第二透光區(qū)域外圍的區(qū)域,所述采用半色調掩膜版對所述像素界定薄膜層進行曝光,包括:
通過所述半色調掩膜版的透光區(qū)域對所述像素界定薄膜層進行曝光,使曝光后的像素界定薄膜層形成與所述第一透光區(qū)域對應的第一曝光區(qū)域,以及與所述第二透光區(qū)域對應的第二曝光區(qū)域;
其中,所述第一曝光區(qū)域在顯影后的厚度為0,所述第二曝光區(qū)域在顯影后的厚度為x,x>0。
2.一種像素界定層的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板上形成矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;
其中,每個所述像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,所述第二子界定圖案嵌套設置在所述第一子界定圖案內,且所述第二子界定圖案的外邊緣與所述第一子界定圖案的內邊緣連接,所述第一子界定圖案的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第二子界定圖案圍成的區(qū)域為發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域;
所述像素界定圖案由感光樹脂材料制成,在所述襯底基板上形成矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案,包括:
在所述襯底基板上形成像素界定薄膜層;
從所述像素界定薄膜層遠離所述襯底基板的一側,采用半色調掩膜版對所述像素界定薄膜層進行曝光;
對曝光后的所述像素界定薄膜層進行顯影;
對顯影后的所述像素界定薄膜層進行烘烤處理,以得到所述像素界定圖案;
所述半色調掩膜版包括第一透光區(qū)域、第二透光區(qū)域、第三透光區(qū)域和遮光區(qū)域,
所述第二透光區(qū)域和所述第三透光區(qū)域組成一環(huán)狀區(qū)域,所述第一透光區(qū)域為所述環(huán)狀區(qū)域圍成的區(qū)域,所述第一透光區(qū)域的透光度大于所述第二透光區(qū)域的透光度,所述第二透光區(qū)域的透光度大于所述第三透光區(qū)域的透光度,所述遮光區(qū)域為所述環(huán)狀區(qū)域外圍的區(qū)域,所述采用半色調掩膜版對所述像素界定薄膜層進行曝光,包括:
通過所述半色調掩膜版的透光區(qū)域對所述像素界定薄膜層進行曝光,使曝光后的像素界定薄膜層形成與所述第一透光區(qū)域對應的第一曝光區(qū)域、與所述第二透光區(qū)域對應的第二曝光區(qū)域以及與所述第三透光區(qū)域對應的第三曝光區(qū)域;
其中,所述第一曝光區(qū)域在顯影后的厚度為0,所述第二曝光區(qū)域在顯影后的厚度為x,所述第三曝光區(qū)域在顯影后的厚度為y,y>x>0。
3.一種像素界定層,其特征在于,所述像素界定層由權利要求1所述的像素界定層的制造方法制造而成,所述像素界定層包括:
設置在襯底基板上的矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;
每個所述像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,所述第二子界定圖案嵌套設置在所述第一子界定圖案內,且所述第二子界定圖案的外邊緣與所述第一子界定圖案的內邊緣連接;
其中,所述第一子界定圖案的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第二子界定圖案圍成的區(qū)域為發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域。
4.根據權利要求3所述的像素界定層,其特征在于,所述第二子界定圖案為環(huán)狀結構,所述環(huán)狀結構嵌套設置在所述第一子界定圖案內,且所述環(huán)狀結構的外邊緣與所述第一子界定圖案的內邊緣連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





