[發明專利]一種電容器的制造方法在審
| 申請號: | 201710760125.8 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107369554A | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | 黃敏 | 申請(專利權)人: | 蘇州惠華電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/008 | 分類號: | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司32200 | 代理人: | 許方 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電容器 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子元器件制造技術領域,特別是一種電容器的制造方法。
背景技術
陶瓷電容器可以分為單層陶瓷電容器、片式多層陶瓷電容器及引線式多層陶瓷電容器,由于多層陶瓷電容器具有低ESR,耐高壓、高溫,體積小、電容量范圍寬等特點,在成本和性能上都占據相當優勢,下游應用較為廣泛,其市場規模約占整個陶瓷電容器的93%。中國作為全球主要的消費性電子產品生產基地,已成為全球陶瓷電容器生產大國和消費大國,產銷量位居全球前列。從陶瓷電容器產品的市場需求來看,其主要應用在航天、航空、船艦、兵器、電子對抗等軍工類產品,系統通訊設備、工業控制設備、醫療電子設備、汽車電子、精密儀表儀器、石油勘探設備、軌道交通等工業類產品及筆記本電腦、數碼相機、手機、錄音錄像設備等消費類產品。
隨著半導體器件的臨界尺寸進入次100nm 時代,對于傳統的單晶體管單電容器結構,電容器的電容和可靠性起著越來越重要的作用。增大電容器電容的做法通常有兩個,一個是增加電容器上下極板間的相對面積,另一個是減小電容器上下極板之間的距離。目前半導體制作工藝中更多的采用增加電容器上下極板間的相對面積的方法來增加電容。電容器具有儲存能量的能力,因此被廣泛應用在電子產品中。依照不同的介電材料,電容器可分為液態電容器與固態電容器,固態電容的介電材料一般為導電性高分子,而液態電容器的介電材料一般為電解液。液態電容器在長期使用下,電容器中的電解液會因為溫度過熱而導致膨脹,容易導致電容器破裂而產生漏液的問題,甚至發生因溫度超過電解液沸點而造成爆炸的危險現象。電容器是由兩塊金屬電極之間夾一層絕緣電介質構成。當在兩金屬電極間加上電壓時,電極上就會存儲電荷,所以電容器是儲能元件。目前的電容電介質大多是氧化鋅等陶瓷、云母、玻璃、塑料、金屬氧化物。此類電容器介質耐壓值不高、損耗大,影響到使用的安全性。
單層陶瓷電容器具有體積小、結構堅固、頻率特性優異、電氣性能穩定和可靠性高等優點,廣泛應用于各種微波通訊電路中。單層陶瓷電容器加工一般要經過清洗、濺射、電鍍和劃切等幾個工序,劃切是單層陶瓷電容器制作的后道工序,是將整塊電容基板通過劃切工藝分割成單個電容單元的工藝過程。對于小尺寸陶瓷電容器在劃切加工過程中刀片引起的崩裂和脫落風險會更大,一旦出現崩裂和脫落,將使整個電容基版電路報廢,造成加工過程的失敗。基片隱裂將嚴重影響單層陶瓷電容器的穩定性及可靠性,將對產品質量帶來很大的隱患電容脫落是單層陶瓷電容器劃切的又一難點。單層陶瓷電容器在劃切過程中需要承受切刀的振動和劃切冷卻水的沖擊。由于單層陶瓷電容劃切尺寸小,粘接面積小,對粘接牢固度要求高。如果粘接不牢將直接引起電容劃切脫落,造成劃切廢品。因此針對單層陶瓷電容器在加工劃切過程中電容脫落、崩裂控制是加工制作的難點。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的不足而提供一種電容器的制造方法,本發明有效提高電容器的容量,提高了單層陶瓷電容的微波性能,提高了單層陶瓷電容器的劃切成品率和切劃質量。
本發明為解決上述技術問題采用以下技術方案:
根據本發明提出的一種電容器的制造方法,包括以下步驟:
步驟一、提供陶瓷介質基片,對陶瓷介質基片進行水超聲波清洗和有機溶劑超聲波清洗,然后干燥;
步驟二、采用真空濺射的方法,在清洗后的陶瓷介質基片的上下表面濺射一層金屬層;
步驟三、采用光刻方法,進行涂膠、前烘、顯影和堅膜,在金屬化后的陶瓷介質基片上制作出圖案;
步驟四、將帶有圖案的陶瓷介質基片進行電鍍、腐蝕和沖洗,使得陶瓷介質基片的上下表面形成多個形狀相同的鍍金層;從而得到待劃切陶瓷電容基片;
步驟五、對待劃切陶瓷電容基片進行清洗后,在陶瓷介質基片的下表面的鍍金層上電鍍一層鎳,將陶瓷介質基片的鍍鎳的表面粘接到玻璃板上;
步驟六、待粘膠劑全固化后,采用劃片機對陶瓷介質基片進行劃切操作;
劃切結束后將整塊陶瓷電容浸泡到鎳腐蝕溶液中,腐蝕去掉電鍍的Ni層,這時劃切好的單層陶瓷電容就會與粘膠劑分離,形成最終單片陶瓷電容器。
作為本發明所述的一種電容器的制造方法進一步優化方案,陶瓷介質基片的表面為光滑的。
作為本發明所述的一種電容器的制造方法進一步優化方案,陶瓷介質基片的介電常數為30-23000。
作為本發明所述的一種電容器的制造方法進一步優化方案,陶瓷介質基片的厚度為0.2mm。
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