[發明專利]一種半導體器件的制造方法及半導體器件有效
| 申請號： | 201710757092.1 | 申請日： | 2017-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN109427887B | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成柵極堆疊結構；
對所述半導體襯底中臨近所述柵極堆疊結構其中一側的區域執行第一離子注入工藝，以形成第一離子注入區，所述第一離子注入工藝的注入離子包括碳和氮；
對所述半導體襯底中臨近所述柵極堆疊結構的兩側區域執行第二離子注入工藝，以形成第二離子注入區，其中，所述第二離子注入工藝的注入劑量小于所述第一離子注入工藝的注入劑量，所述第二離子注入工藝的注入離子包括碳或氮；
對所述半導體襯底中臨近所述柵極堆疊結構兩側的區域執行LDD注入，以形成LDD區。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區是在所述柵極堆疊結構的源極一側形成的。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝包括傾斜于所述半導體襯底的離子注入工藝。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述LDD注入包括垂直于所述半導體襯底的輕摻雜離子注入工藝。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述LDD注入的注入離子包括硼或銦。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入工藝包括垂直于所述半導體襯底的離子注入工藝。
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