[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710756619.9
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN108231586B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 沙哈吉·B·摩爾;潘正揚;張世杰;李承翰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

半導體裝置的制造方法包含形成柵極堆疊于基底上；成長源極/漏極區相鄰于柵極堆疊，源極/漏極區為N型摻雜的硅；于源極/漏極區上成長半導體蓋層，半導體蓋層具有鍺雜質，源極/漏極區不含鍺雜質；沉積金屬層于半導體蓋層上；將金屬層和半導體蓋層退火，以在源極/漏極區上形成硅化物層，硅化物層具有鍺雜質；以及形成金屬接觸電性耦接至硅化物層。

技術領域

本公開實施例涉及半導體技術，特別涉及半導體裝置的結構及其制造方法。

背景技術

半導體裝置使用于各種電子應用中，例如個人電腦、手機、數碼相機和其它電子設備。半導體裝置的制造通常是通過依序地沉積絕緣或介電層、導電層和半導體層的材料于半導體基底上，以及使用光刻和蝕刻工藝將各種材料層圖案化，以形成電路組件和元件于半導體基底上。

半導體產業通過持續縮減最小部件的尺寸，以達到持續改善各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容等等)的集成密度，使得更多元件被整合至給定的區域。然而，隨著最小部件的尺寸縮小，在每一個使用的工藝中產生額外的問題，這些額外的問題應被克服。

發明內容

根據一些實施例，提供半導體裝置的制造方法，此方法包含形成柵極堆疊于基底上；成長源極/漏極區相鄰于柵極堆疊，源極/漏極區為N型摻雜的硅；成長半導體蓋層于源極/漏極區上，半導體蓋層具有鍺雜質，源極/漏極區不含鍺雜質；沉積金屬層于半導體蓋層上；將金屬層和半導體蓋層退火，以在源極/漏極區上形成硅化物層，硅化物層具有鍺雜質；以及形成金屬接觸電性耦接至硅化物層。

根據另一些實施例，提供半導體裝置的制造方法，此方法包含形成柵極堆疊于基底上；在第一成長步驟中，成長源極/漏極區相鄰于柵極堆疊，源極/漏極區為N型摻雜的硅；在第一成長步驟后，于第二成長步驟中，在源極/漏極區上成長半導體蓋層，第一成長步驟和第二成長步驟是在原位(in situ)實施而不破壞真空，半導體蓋層為硅鍺(SiGe)或硅鍺磷(SiGeP)；形成層間介電質于半導體蓋層和源極/漏極區上；在層間介電質中形成開口，開口露出半導體蓋層的頂面；在開口中和半導體蓋層的頂面上沉積金屬層；將金屬層和半導體蓋層退火，以形成硅化物層于源極/漏極區上；以及形成金屬接觸電性耦接至硅化物層。

根據又一些實施例，提供半導體裝置的制造方法，此方法包含形成柵極堆疊于基底上；成長源極/漏極區相鄰于柵極堆疊，源極/漏極區為N型摻雜的硅；形成層間介電質于源極/漏極區上；在層間介電質中形成開口，開口露出源極/漏極區；在開口中和源極/漏極區上成長半導體蓋層，半導體蓋層為硅鍺(SiGe)或硅鍺磷(SiGeP)；沉積金屬層于開口中和半導體蓋層的頂面上；將金屬層和半導體蓋層退火，以形成硅化物層于源極/漏極區上；以及形成金屬接觸電性耦接至硅化物層。

附圖說明

為了讓本公開實施例的各個觀點能更明顯易懂，以下配合所附附圖作詳細說明。應該注意，根據工業中的標準范例，各個部件(features)未必按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1是根據一些實施例，以三維圖說明鰭式場效晶體管的示范例。

圖2-圖6、圖7A-圖17A、圖7B-圖17B、圖18A-圖18C、圖19A-圖19B、圖20A-圖20C、圖21A-圖23A及圖21B-圖23B是根據一些實施例所繪示的制造鰭式場效晶體管的各個中間階段的剖面示意圖。

附圖標記說明：

50～基底；

50B～第一區；

50C～第二區；

52、56～鰭；

54～隔離區；

58～虛設介電層；

60～虛設柵極層；

62～掩模層；