[發(fā)明專利]電介質(zhì)組合物和層疊電子部件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710756337.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107793148B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加納裕士;小田嶋努;百田睦;佐佐木洋;佐藤雅之;高橋俊成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TDK株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01G4/30 | 分類號(hào): | H01G4/30;C04B35/468;C04B41/88;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電介質(zhì) 組合 層疊 電子 部件 | ||
1.一種電介質(zhì)組合物,其特征在于:
包含鈦酸鋇、釔的氧化物和鎂的氧化物,
在將釔的氧化物的含量以Y2O3換算設(shè)定為α摩爾份,將鎂的氧化物的含量以MgO換算設(shè)定為β摩爾份的情況下,0.70≤α/β≤0.81,
在將所述鈦酸鋇的含量以BaTiO3換算設(shè)定為100摩爾份的情況下,鎂的含量以MgO換算為1.12~1.85摩爾份,釔的含量以Y2O3換算為0.78~2.03摩爾份。
2.如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)組合物,其特征在于:
在將所述鈦酸鋇的含量以BaTiO3換算設(shè)定為100摩爾份的情況下,釩的含量以V2O5換算為0.02摩爾份以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)組合物,其特征在于:
在將所述鈦酸鋇的含量以BaTiO3換算設(shè)定為100摩爾份的情況下,硅的含量以SiO2換算為1.39~2.80摩爾份。
4.一種層疊電子部件,其特征在于:
所述層疊電子部件具備電介質(zhì)層、內(nèi)部電極層和外部電極,
所述電介質(zhì)層由包含鈦酸鋇、釔的氧化物和鎂的氧化物的電介質(zhì)組合物構(gòu)成,
在所述電介質(zhì)組合物中,
在將所述釔的氧化物的含量以Y2O3換算設(shè)定為α摩爾份,將所述鎂的氧化物的含量以MgO換算設(shè)定為β摩爾份的情況下,0.70≤α/β≤0.81,
在將所述鈦酸鋇的含量以BaTiO3換算設(shè)定為100摩爾份的情況下,鎂的含量以MgO換算為1.12~1.85摩爾份,釔的含量以Y2O3換算為0.78~2.03摩爾份,
層疊電子部件的截面中,Y偏析的區(qū)域所占的面積比例為0.01~2.0%,
層疊電子部件的截面中,Mg偏析的區(qū)域所占的面積比例為0.01~2.0%。
5.如權(quán)利要求4所述的層疊電子部件,其特征在于:
在所述電介質(zhì)組合物中,在將所述鈦酸鋇的含量以BaTiO3換算設(shè)定為100摩爾份的情況下,釩的含量以V2O5換算為0.02摩爾份以上。
6.如權(quán)利要求4或5所述的層疊電子部件,其特征在于:
在所述電介質(zhì)組合物中,在將所述鈦酸鋇的含量以BaTiO3換算設(shè)定為100摩爾份的情況下,硅的含量以SiO2換算為1.39~2.80摩爾份。
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