[發明專利]一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法

在審

• 申請號: 201710756304.4
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107546281A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 郭瑤;鄭霈霆;金浩;張昕宇;張范
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術領域

本發明屬于太陽能電池技術領域，特別是涉及一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法。

背景技術

背面局域接觸鈍化結構的PERC和PERL電池在背面鈍化上是比較完善的，但局部接觸的結構特點限制了背面鈍化效果，且正面復合的存在，使得當前結構的PERC電池提升空間受到限制。Fraunhofer開發的隧穿氧化層鈍化接觸技術使表面鈍化得到更好的完善，既能降低表面復合，又避免了局部接觸所需開孔流程，也就是鈍化接觸技術，當前的技術大多著重在背面鈍化接觸及n型鈍化接觸，當前PERC電池已有較完善的背面鈍化結構，但正面復合仍然較大，限制了效率提升。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，能夠降低電池的正面復合，提升電池開路電壓，從而提升電池效率。

本發明提供的一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，包括：

在P型硅片正面進行堿制絨；

在所述P型硅片的正面沉積一層二氧化硅；

在所述P型硅片的正面沉積摻雜多晶硅薄膜；

在所述P型硅片的背面刻蝕并鈍化；

在所述P型硅片的背面開槽、印刷電極和燒結。

優選的，在上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法中，在所述P型硅片的背面刻蝕并鈍化之后，還包括：

在所述P型硅片的正面蒸鍍ITO層。

優選的，在上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法中，所述在所述P型硅片的正面沉積一層二氧化硅為：

利用濃度為60％的HNO₃在100至120℃下沉積50至70min，得到厚度范圍為3nm至7nm的二氧化硅。

優選的，在上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法中，所述在所述P型硅片的正面沉積摻雜多晶硅薄膜為：

以磷烷、硅烷為氣源，在300℃條件反應100min至150min，得到厚度范圍為15nm至25nm的摻雜多晶硅薄膜。

優選的，在上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法中，所述在所述P型硅片的正面蒸鍍ITO層為：

在1000W至1300W的功率范圍和180℃至220℃的溫度范圍內，在所述P型硅片的正面蒸鍍ITO4至6分鐘，得到厚度范圍為70nm至100nm的ITO層。

優選的，在上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法中，所述摻雜多晶硅薄膜為摻磷多晶硅薄膜。

優選的，在上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法中，所述在P型硅片正面進行堿制絨為：

在P型硅片正面進行堿制絨形成金字塔絨面。

通過上述描述可知，本發明提供的上述實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，由于包括在P型硅片正面進行堿制絨；在所述P型硅片的正面沉積一層二氧化硅；在所述P型硅片的正面沉積摻雜多晶硅薄膜；在所述P型硅片的背面刻蝕并鈍化；在所述P型硅片的背面開槽、刷電極和燒結，因此能夠降低電池的正面復合，提升電池開路電壓，從而提升電池效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的第一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法的示意圖。

具體實施方式

本發明的核心思想在于提供一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，能夠降低電池的正面復合，提升電池開路電壓，從而提升電池效率。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本申請實施例提供的第一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的第一種實現P型PERC電池正面鈍化接觸的方法的示意圖，該方法包括如下步驟：

S1：在P型硅片正面進行堿制絨；

其中，可以但不限于制作金字塔絨面。

S2：在所述P型硅片的正面沉積一層二氧化硅；

S3：在所述P型硅片的正面沉積摻雜多晶硅薄膜；