[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710756304.4
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107546281A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭瑤;鄭霈霆;金浩;張昕宇;張范
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，包括：

在P型硅片正面進(jìn)行堿制絨；

在所述P型硅片的正面沉積一層二氧化硅；

在所述P型硅片的正面沉積摻雜多晶硅薄膜；

在所述P型硅片的背面刻蝕并鈍化；

在所述P型硅片的背面開槽、印刷電極和燒結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，在所述P型硅片的背面刻蝕并鈍化之后，還包括：

在所述P型硅片的正面蒸鍍ITO層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片的正面沉積一層二氧化硅為：

利用濃度為60％的HNO₃在100至120℃下沉積50至70min，得到厚度范圍為3nm至7nm的二氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片的正面沉積摻雜多晶硅薄膜為：

以磷烷、硅烷為氣源，在300℃條件反應(yīng)100min至150min，得到厚度范圍為15nm至25nm的摻雜多晶硅薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，

所述在所述P型硅片的正面蒸鍍ITO層為：

在1000W至1300W的功率范圍和180℃至220℃的溫度范圍內(nèi)，在所述P型硅片的正面蒸鍍ITO4至6分鐘，得到厚度范圍為70nm至100nm的ITO層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，所述摻雜多晶硅薄膜為摻磷多晶硅薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的實(shí)現(xiàn)P型PERC電池正面鈍化接觸的方法，其特征在于，所述在P型硅片正面進(jìn)行堿制絨為：

在P型硅片正面進(jìn)行堿制絨形成金字塔絨面。