[發明專利]基板處理方法有效
| 申請號: | 201710756122.7 | 申請日: | 2017-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN107799439B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 日野出大輝;藤井定;武明勵 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 | ||
一種基板處理方法,包括:將基板保持為水平的基板保持工序;將比水的表面張力更低的低表面張力液體供給至被保持為水平的基板的上表面,形成低表面張力液體的液膜的液膜形成工序;在液膜的中央區域形成開口的開口形成工序;通過將開口擴大而將液膜從被保持為水平的基板的上表面排除的液膜排除工序;向設定在開口的外側的第一著液點,供給比水的表面張力更低的低表面張力液體的低表面張力液體供給工序;向設定在開口的外側且比第一著液點更遠離開口的第二著液點,供給使被保持為水平的基板的上表面疎水化的疏水化劑的疏水化劑供給工序;以及使第一著液點和第二著液點追隨開口的擴大而移動的著液點移動的工序。
技術領域
本發明涉及處理基板的基板處理方法。成為處理對象的基板,包括例如半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、FED(Field Emission Display,場致發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
背景技術
在每次處理一張基板的單張式基板處理裝置的基板處理中,例如對被旋轉夾具保持為大致水平的基板供給藥液。然后,向基板供給沖洗液,由此將基板上的藥液替換為沖洗液。然后,進行旋轉干燥工序以排除基板上的沖洗液。
如圖12所示,在基板表面上形成有微細的圖案時,在旋轉干燥工序中有可能不能去除進入圖案(pattern)內部的沖洗液。由此,可能會產生干燥不良。進入圖案內部的沖洗液的液面(空氣和液體之間的界面)形成在圖案的內部。因此,液體表面張力作用在液面和圖案之間的接觸位置。在該表面張力較大的情況下,容易發生圖案的坍塌。水作為典型的沖洗液,表面張力較大。因此,旋轉干燥工序中的圖案的坍塌不能忽視。
于是可以考慮供給比水的表面張力更低的低表面張力液體即異丙醇 (IsopropylAlcohol:IPA),來將進入到圖案內部的水替換為IPA,之后通過去除IPA來使基板的上表面干燥。但是,即使在將進入到圖案內部的水替換為IPA的情況下,IPA的表面張力持續作用在圖案時等,仍會發生圖案的坍塌。因此,必須將IPA從基板的上表面迅速排除。
另一方面,美國專利申請公開第2010/240219號說明書揭示了在基板的表面形成浸潤性的低憎水性(疏水性)的保護膜的基板處理。在該基板處理中,因為保護膜降低了圖案受到的IPA的表面張力,所以能夠防止圖案的坍塌。具體而言,在該基板表面處理中,通過向基板表面的旋轉中心附近供給硅烷偶聯劑,并利用基板旋轉產生的離心力,使硅烷偶聯劑遍布在基板表面的全部區域,從而形成保護膜。然后,向基板的旋轉中心供給IPA,利用基板旋轉產生的離心力,使IPA遍布在基板的表面全部領域,從而用IPA替換基板表面上殘留著的硅烷偶聯劑。
在美國專利申請公開第2010/240219號說明書中記載的基板表面處理中,向基板表面供給的硅烷偶聯劑在被IPA替換之前的期間劣化,基板表面的疏水性有可能會下降。這樣,就有可能不能充分地降低圖案受到的IPA的表面張力。
發明內容
因此,本發明的一個目的是,提供基板處理方法,該方法能夠用低表面張力液體迅速地替換供給到基板上表面的疏水化劑,并且,能夠迅速排除基板上表面的低表面張力液體。
本發明提供的基板處理方法,包括:將基板保持為水平的基板保持工序;將比水的表面張力更低的低表面張力液體供給至被保持為水平的前述基板的上表面形成前述低表面張力液體的液膜的液膜形成工序;在前述液膜的中央區域形成開口的開口形成工序;通過將前述開口擴大而將前述液膜從被保持為水平的前述基板的上表面排除的液膜排除工序;向設定在前述開口的外側的第一著液點供給比水的表面張力更低的低表面張力液體的低表面張力液體供給工序;向設定在前述開口的外側并且比前述第一著液點更遠離前述開口的第二著液點供給使被保持為水平的前述基板的上表面疎水化的疏水化劑的疏水化劑供給工序;和使前述第一著液點和前述第二著液點追隨前述開口的擴大而移動的著液點移動工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





