[發明專利]基板處理方法

有效

• 申請號: 201710756122.7
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107799439B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 日野出大輝;藤井定;武明勵
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 崔炳哲;向勇

1.一種基板處理方法，其中，包括：

基板保持工序，將基板保持為水平；

液膜形成工序，從中央噴嘴將比水的表面張力更低的低表面張力液體供給至被保持為水平的所述基板的上表面的中央區域，形成所述低表面張力液體的液膜；

開口形成工序，在所述液膜的中央區域形成使被保持為水平的所述基板的中央區域露出的開口；

液膜排除工序，通過將所述開口擴大，來將所述液膜從被保持為水平的所述基板的上表面排除；

低表面張力液體供給工序，從第一移動噴嘴向設定在所述開口的外側的第一著液點供給比水的表面張力更低的低表面張力液體；

疏水化劑供給工序，從第二移動噴嘴向設定在所述開口的外側并且比所述第一著液點更遠離所述開口的第二著液點供給疏水化劑，所述疏水化劑使被保持為水平的所述基板的上表面疎水化；

著液點移動工序，通過使所述第一移動噴嘴以及所述第二移動噴嘴向被保持為水平的所述基板的周緣移動，使所述第一著液點和所述第二著液點追隨所述開口的擴大而移動，

在使所述開口擴大時，開始從所述第一移動噴嘴向所述第一著液點供給所述低表面張力液體以及從所述第二移動噴嘴向所述第二著液點供給所述疏水化劑。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，所述著液點移動工序包括使所述第一著液點追隨所述第二著液點的移動而移動的工序。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，還包括：

基板旋轉工序，與所述液膜排除工序并行地使被保持為水平的所述基板旋轉；

所述第一著液點設定在比所述第二著液點更靠基板旋轉方向上游側的位置。

4.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，包括：

噴嘴移動工序，通過驅動支撐部件來使所述第一移動噴嘴和所述第二移動噴嘴沿被保持為水平的所述基板的上表面移動，

所述第一移動噴嘴和所述第二移動噴嘴被同一個所述支撐部件支撐。

5.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，還包括：

基板加熱工序，將被保持為水平的所述基板加熱；

所述基板加熱工序先于所述疏水化劑供給工序開始。

6.根據權利要求5所述的基板處理方法，其中，

所述基板加熱工序在所述低表面張力液體供給工序結束為止的期間持續進行。

7.一種基板處理方法，其中，包括：

基板保持工序，將基板保持為水平；

液膜形成工序，將比水的表面張力更低的低表面張力液體供給至被保持為水平的所述基板的上表面，形成所述低表面張力液體的液膜；

開口形成工序，在所述液膜的中央區域形成開口；

液膜排除工序，通過將所述開口擴大，來將所述液膜從被保持為水平的所述基板的上表面排除；

低表面張力液體供給工序，向設定在所述開口的外側的第一著液點供給比水的表面張力更低的低表面張力液體；

疏水化劑供給工序，向設定在所述開口的外側并且比所述第一著液點更遠離所述開口的第二著液點供給疏水化劑，所述疏水化劑使被保持為水平的所述基板的上表面疎水化；

著液點移動工序，使所述第一著液點和所述第二著液點追隨所述開口的擴大而移動；

向設定在所述開口的外側并且比所述第二著液點更遠離所述開口的位置的第三著液點供給比水的表面張力更低的低表面張力液體的工序。

8.根據權利要求7所述的基板處理方法，其中，

所述著液點移動工序包括使所述第三著液點追隨所述第二著液點的移動而移動的工序。