[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710755921.2
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107863430B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 竹中靖博;齋藤義樹;松井慎一;篠田大輔;程田高史;篠原裕直
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

本申請涉及發光元件及其制造方法。一種制造發光元件的方法，其包括：形成包含n型覆層和作為主要組分的Al_xGa_1?xN(0.1≤x≤1)的n型半導體層；形成包含層疊結構的n側接觸電極，所述層疊結構包含Ti層和Ru層，所述Ti層與所述n型半導體層接觸；以及通過熱處理形成所述n型半導體層和所述Ti層的歐姆接觸。

本申請基于在2016年9月21日提交的日本專利申請第2016-184867號，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及一種發光元件以及該發光元件的制造方法。

背景技術

已知一種發光元件，在該發光元件中，由Ru形成的反射電極層形成在Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)的p型半導體層上(參見例如JP-A-2011-151393)。

由JP-A-2011-151393公開的發光元件可通過有效地反射由發射層發射的朝向發光元件的后表面發射的光而增加通過發光元件的前表面發射的光的量，所述光的發射波長在200nm至495nm的范圍內。

此外，已知一種發光元件，在該發光器件中具有Ti/Ru/Au層疊結構的焊盤電極連接至由III-V族化合物半導體形成的p型半導體層(參見例如JP-B-5177227)。

發明內容

在由JP-A-2011-151393公開的發光元件中，由Ru形成的反射電極層直接連接在p型半導體層上。然而，與其他電極材料例如Ti相比，Ru與Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)具有高接觸電阻。這可導致發光元件的正向電壓增加。

如果由JP-B-5177227公開的發光元件是發紫外光的元件，則p型半導體層的Al成分將增加。因此，p型半導體層可能不與簡單形成于其上的Ti膜歐姆接觸。由于JP-B-5177227沒有教導用于形成歐姆接觸的任何具體處理，所以只要由JP-B-5177227公開的發光元件是發紫外光的元件，p型半導體層可不與具有Ti/Ru/Au層疊結構的焊盤電極歐姆接觸。

本發明的目的是提供一種發光元件以及制造該發光元件的方法，所述發光元件發射紫外光，因發射層的AlGaN層和n側電極之間的低接觸電阻而具有低正向電壓，并因n側電極的高光反射性質而具有高光提取效率。

根據本發明的一個實施方案，提供了由以下[1]至[5]限定的制造發光元件的方法和由以下[6]至[8]限定的發光元件。

[1]一種制造發光元件的方法，包括：

形成包含n型覆層和作為主要組分的Al_xGa_1-xN(0.1≤x≤1)的n型半導體層；

形成包含層疊結構的n側接觸電極，所述層疊結構包含Ti層和Ru層，所述Ti層接觸所述n型半導體層；以及

通過熱處理形成所述n型半導體層與所述Ti層的歐姆接觸。

[2]根據[1]的方法，其中n型半導體層包含作為主要組分的Al_xGa_1-xN(x≥0.65)。

[3]根據[1]或[2]的方法，其中Ti層的厚度不小于0.5nm且不大于2.5nm。

[4]根據[1]至[3]中任一項的方法，其中Ti層通過使用RF電源濺射而形成。

[5]根據[1]至[4]中任一項的方法，其中Ru層通過在不大于0.4Pa的氣壓下濺射而形成。

[6]一種發光元件，包括：