[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710755921.2
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107863430B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 竹中靖博;齋藤義樹;松井慎一;篠田大輔;程田高史;篠原裕直
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種制造發光元件的方法，包括：

形成包含n型覆層和作為主要組分的Al_xGa_1-xN的n型半導體層，其中0.65≤x≤1；

形成包含層疊結構的n側接觸電極，所述層疊結構包含Ti層和Ru層，所述Ti層接觸所述n型半導體層；

通過熱處理形成所述n型半導體層與所述Ti層的歐姆接觸；以及

在所述n側接觸電極周圍形成DBR(分布式布拉格反射體)膜，

其中所述發光元件被配置成發射具有小于280nm波長的光，以及

其中所述Ru層和所述DBR膜被配置成將所述光反射至所述發光元件的基底側。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述Ti層的厚度不小于0.5nm且不大于2.5nm。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述Ti層通過使用RF電源濺射而形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述Ru層通過在不大于0.4Pa的氣壓下濺射而形成。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述Ti層通過使用RF電源濺射而形成。

6.根據權利要求2所述的方法，其中所述Ru層通過在不大于0.4Pa的氣壓下的濺射形成。

7.根據權利要求3所述的方法，其中所述Ru層通過在不大于0.4Pa的氣壓下濺射而形成。

8.一種發光元件，包括：

包含n型覆層和作為主要組分的Al_xGa_1-xN的n型半導體層，其中0.65≤x≤1；

包含層疊結構的n側接觸電極，所述層疊結構包含Ti層和Ru層，所述Ti層歐姆接觸所述n型半導體層；以及

在所述n側接觸電極周圍形成的DBR(分布式布拉格反射體)膜，

其中所述發光元件被配置成發射具有小于280nm波長的光，以及

其中所述Ru層和所述DBR膜被配置成將所述光反射至所述發光元件的基底側。

9.根據權利要求8所述的發光元件，其中所述Ti層的厚度不小于0.5nm且不大于2.5nm。