[發(fā)明專利]基板處理裝置和噴嘴清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710755442.0 | 申請日: | 2017-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN107799438B | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 三浦淳靖;池田昌秀;辻川裕貴;藤田和宏;土橋裕也 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 噴嘴 清洗 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置和噴嘴清洗方法,該基板處理裝置的控制裝置執(zhí)行:液柱形成工序,在旋轉(zhuǎn)夾具沒有保持基板時,通過使下面噴嘴噴出清洗液,形成從下面噴嘴向上方延伸的液柱;以及,第一下垂部清洗工序,與液柱形成工序并行地執(zhí)行,通過使上面噴嘴在上面噴嘴的下垂部沒有接觸液柱的第一位置和上面噴嘴的下垂部沒有接觸液柱的第二位置之間沿著水平方向往返,使上面噴嘴經(jīng)過第一中間位置,所述第一中間位置指,在俯視時上面噴嘴的上噴出口與液柱重疊的位置。
技術領域
本發(fā)明涉及用于處理基板的基板處理裝置、用于清洗基板處理裝置所具備的噴嘴的噴嘴清洗方法。
處理對象的基板例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、場致發(fā)射顯示器(FED:Field Emission Display)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術
在半導體裝置、液晶顯示裝置等的制造工序中,使用用于處理半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板等基板的基板處理裝置。日本特開2007-123559號公報公開了逐張地處理基板的單張式基板處理裝置。在該基板處理裝置中,為了清洗藥液處理用噴嘴的內(nèi)部,在使位于旋轉(zhuǎn)夾具的上方的藥液處理用噴嘴的噴出口與設置于旋轉(zhuǎn)夾具的下部噴嘴的噴出口相向的狀態(tài)下,從下部噴嘴向藥液處理用噴嘴的頂端部噴出作為噴嘴清洗液的純水。由此,清洗藥液處理用噴嘴的內(nèi)部等。
但是,日本特開2007-123559號公報的基板處理裝置是用來清洗藥液處理用噴嘴的內(nèi)部的,而不是用來清掃藥液處理用噴嘴的外周面的。作為該證據(jù),在日本特開2007-123559號公報的圖4中記載有,從下部噴嘴向上方噴出的純水,僅向在藥液處理用噴嘴的下面開口的噴出口供給。在日本特開2007-123559號公報的段落0093中雖然公開了使藥液處理用噴嘴相對于下部噴嘴沿著水平方向擺動,但是并沒有公開:在藥液處理用噴嘴擺動時,從下部噴嘴噴出的純水是否向藥液處理用噴嘴的外周面供給。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實施方式提供一種基板處理裝置,其中,具備:基板保持單元,一邊將配置于基板保持位置的基板保持為水平,一邊使該基板旋轉(zhuǎn),下面噴嘴,其作為第一清洗噴嘴,該下面噴嘴朝向所述基板保持位置向上方噴出液體,第一清洗液供給單元,通過向所述下面噴嘴供給清洗液,使所述下面噴嘴噴出清洗液,上面噴嘴,包括沿著水平方向延伸的水平部、從所述水平部的頂端向下方彎曲的拐角部、從所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面開口的上噴出口,從所述上噴出口朝向所述基板保持位置向下方噴出液體,噴嘴移動單元,使所述上面噴嘴至少沿著水平方向移動,以及,控制裝置,控制所述第一清洗液供給單元和噴嘴移動單元。
所述控制裝置執(zhí)行:液柱形成工序,在所述基板保持單元沒有保持基板時,通過使所述下面噴嘴噴出清洗液,形成從所述下面噴嘴向上方延伸的液柱,以及,第一下垂部清洗工序,與所述液柱形成工序并行地執(zhí)行,通過使所述上面噴嘴在所述上面噴嘴的下垂部沒有接觸所述液柱的第一位置和所述上面噴嘴的下垂部沒有接觸所述液柱的第二位置之間沿著水平方向往返,使所述上面噴嘴經(jīng)過第一中間位置,所述第一中間位置指,在俯視時所述上面噴嘴的上噴出口與所述液柱重疊的位置。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),在基板保持單元沒有保持基板的狀態(tài)下,一邊使下面噴嘴向上方噴出清洗液,一邊使上面噴嘴在第一位置和第二位置之間沿著水平方向往返。在第一位置和第二位置之間的第一中間位置,從下面噴嘴噴出的清洗液經(jīng)由上面噴嘴的上噴出口進入上面噴嘴中。上面噴嘴內(nèi)的藥液及其結(jié)晶與清洗液一起從上噴出口向下方排出。由此,清洗上面噴嘴的內(nèi)部。
在上面噴嘴從第一位置向第一中間位置移動時,上面噴嘴的下垂部的一個側(cè)部接觸從下面噴嘴向上方延伸的清洗液的液柱,從而向下垂部的一個側(cè)部供給清洗液。同樣地,在上面噴嘴從第二位置向第一中間位置移動時,上面噴嘴的下垂部的另一個側(cè)部接觸從下面噴嘴向上方延伸的清洗液的液柱,從而向下垂部的另一個側(cè)部供給清洗液。而且,向下垂部供給的清洗液沿著下垂部向下方流動,并且沿著下垂部向與上面噴嘴的移動方向相反的方向流動。由此,下垂部中沒有接觸到液柱的部分也被供給清洗液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





