[發明專利]基板處理裝置和噴嘴清洗方法有效
| 申請號: | 201710755442.0 | 申請日: | 2017-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN107799438B | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 三浦淳靖;池田昌秀;辻川裕貴;藤田和宏;土橋裕也 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 噴嘴 清洗 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其中,
具備:
基板保持單元,一邊將配置于基板保持位置的基板保持為水平,一邊使該基板旋轉,
下面噴嘴,其作為第一清洗噴嘴,該下面噴嘴朝向所述基板保持位置并向上方噴出液體,
第一清洗液供給單元,通過向所述下面噴嘴供給清洗液,使所述下面噴嘴噴出清洗液,
上面噴嘴,包括沿著水平方向延伸的水平部、從所述水平部的頂端向下方彎曲的拐角部、從所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面開口的上噴出口,從所述上噴出口朝向所述基板保持位置并向下方噴出液體,
噴嘴移動單元,使所述上面噴嘴至少沿著水平方向移動,
控制裝置,控制所述第一清洗液供給單元和噴嘴移動單元、
第三清洗噴嘴,朝向位于第一中間位置的所述上面噴嘴的下垂部向下方噴出清洗液,
風扇單元,配置于比所述基板保持單元和上面噴嘴更靠上方的位置,向下方輸送氣體,以及,
整流部件,配置于比所述基板保持單元和上面噴嘴更靠上方、且比所述風扇單元更靠下方的位置,設置有用于將所述風扇單元所輸送的氣體向下方引導的多個貫通孔;
所述控制裝置執行:
液柱形成工序,在所述基板保持單元沒有保持基板時,通過使所述下面噴嘴噴出清洗液,形成從所述下面噴嘴向上方延伸的液柱,以及,
第一下垂部清洗工序,與所述液柱形成工序并行地執行,通過使所述上面噴嘴在所述上面噴嘴的下垂部沒有接觸所述液柱的第一位置和所述上面噴嘴的下垂部沒有接觸所述液柱的第二位置之間水平地往返,使所述上面噴嘴經過所述第一中間位置,并且,一邊使所述上面噴嘴在所述第一位置和所述第二位置之間水平地往返,一邊使所述下面噴嘴和第三清洗噴嘴噴出清洗液,所述第一中間位置指,在俯視時所述上面噴嘴的上噴出口與所述液柱重疊的位置,
所述第三清洗噴嘴包括位于所述整流部件的上方的上方部、從所述上方部經由設置于所述整流部件的插入孔延伸到所述整流部件的下方的位置的頂端部、設置于所述頂端部并位于所述整流部件的下方的第三清洗液噴出口;從所述第三清洗液噴出口朝向位于所述第一中間位置的所述上面噴嘴的下垂部向下方噴出清洗液。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
在所述液柱形成工序中,以使所述液柱的上端位于比所述上面噴嘴的水平部的下緣更靠上方的位置的方式,形成所述液柱。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述基板處理裝置還具備第二上面噴嘴,所述第二上面噴嘴包括沿著水平方向延伸的水平部、從所述水平部的頂端向下方彎曲的拐角部、從所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面開口的上噴出口,從所述上噴出口朝向所述基板保持位置并向下方噴出液體;
所述噴嘴移動單元使所述第二上面噴嘴和所述上面噴嘴一起至少沿著水平方向移動;
所述控制裝置還執行第二下垂部清洗工序,所述第二下垂部清洗工序與所述液柱形成工序并行地執行,在所述第二下垂部清洗工序中,通過使所述第二上面噴嘴在所述第二上面噴嘴的下垂部沒有接觸所述液柱的所述第二位置和所述第二上面噴嘴的下垂部沒有接觸所述液柱的第三位置之間水平地往返,使所述第二上面噴嘴經過第二中間位置,所述第二中間位置指,在俯視時所述第二上面噴嘴的上噴出口與所述液柱重疊的位置。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其中,
所述基板處理裝置還具備第二處理液配管,所述第二處理液配管向所述第二上面噴嘴供給與向所述上面噴嘴供給的液體不同的種類的液體;
在所述第二下垂部清洗工序中,使所述第二上面噴嘴以比所述第一下垂部清洗工序中的所述上面噴嘴的往返次數更少的次數,在所述第二位置和所述第三位置之間水平地往返。
5.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述基板處理裝置還具備第二清洗噴嘴,所述第二清洗噴嘴朝向位于待機位置的所述上面噴嘴的水平部噴出清洗液,所示待機位置指,在俯視時所述上面噴嘴配置于所述基板保持單元的周圍的位置,
所述控制裝置還執行水平部清洗工序,在所述水平部清洗工序中,使所述第二清洗噴嘴朝向位于所述待機位置的所述上面噴嘴的水平部噴出清洗液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





