[發明專利]用于處理基板的裝置和方法

在審

• 申請號: 201710755167.2
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107799437A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 崔榮;權慶蘭;李正悅;樸珉貞
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/027
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 趙丹,趙莎

技術領域

在此描述的本發明構思的實施例涉及一種用于處理基板的裝置和方法，尤其涉及一種用于在基板上涂覆膜層的裝置和方法。

背景技術

執行諸如清洗、沉積、曝光、刻蝕和離子注入的各種工藝來制造半導體器件。在這些工藝中，沉積工藝和旋涂硬掩膜(SOH，spin-on hard mask)(以下稱涂覆)工藝用作在基板上成膜層的工藝。

通常，沉積工藝是通過在基板上沉積工藝氣體而在基板上形成膜層的工藝，而涂覆工藝是通過將處理液供應到基板的中心來形成液膜的工藝。

在涂覆旋涂硬掩膜的涂覆工藝中，通常在涂覆旋涂硬掩膜并執行刻蝕工藝之后再次執行涂覆旋涂硬掩模的工藝。在這種情況下，用于執行涂覆工藝的裝置和用于執行刻蝕工藝的裝置分別設置。因此，由于各裝置需要不同的占地面積，并且在各裝置之間移動基板的時間必不可少，因此生產率降低。此外，由于對各裝置分別進行操作，因此操作裝置的成本增加。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種最小化占地面積的裝置和方法。

本發明構思的實施例還提供了一種用于提高基板生產率的裝置和方法。

本發明構思的目的不限于以上所述。本發明構思所屬領域的技術人員將從下面的描述中清楚地了解未提及的其它技術目的。

本發明的構思提供了一種用于處理基板的裝置。根據一實施例，該裝置可包括索引模塊，工藝執行模塊和控制器。索引模塊可包括裝載端口，容納基板的容器位于所述裝載端口上；和傳輸(feeding)框架，所述傳輸框架設置有索引機械手，所述索引機械手配置為在所述容器和所述工藝執行模塊之間傳送所述基板。所述工藝執行模塊可包括：多個工藝腔室；和傳輸腔室，所述傳輸腔室設置有主機械手，所述主機械手配置為在各工藝腔室之間傳送基板。所述控制器可控制所述工藝執行模塊順序地執行以下工藝：通過將第一涂覆液提供到具有圖案的基板上來形成第一涂層的第一涂覆工藝；通過向所述基板提供化學品來去除位于所述圖案上表面的所述第一涂層而使得所述圖案的上表面露出的刻蝕工藝；以及，通過將第二涂覆液提供到所述基板上而形成第二涂層的第二涂覆工藝。所述工藝腔室可包括：第一腔室，所述第一腔室配置為執行所述第一涂覆工藝；和第二腔室，所述第二腔室配置為執行所述第二涂覆工藝。

所述刻蝕工藝可在所述第一腔室或所述第二腔室中的一個中執行。

所述工藝腔室可還包括：烘烤腔室，所述烘烤腔室配置為執行對所述基板進行熱處理的熱處理工藝。

所述控制器可控制所述工藝執行模塊在所述第一涂覆工藝和所述刻蝕工藝之間以及在所述第二涂覆工藝之后執行所述熱處理工藝。

所述第一腔室和所述第二腔室可彼此堆疊。

多個第一腔室和多個第二腔室可沿第一方向布置。可設置多個烘烤腔室，并且一些烘烤腔室位于所述第一腔室的第二方向上并沿著第一方向布置，其余烘烤腔室位于所述第二腔室的第二方向上并沿著第一方向布置。所述傳輸腔室可位于所述一些烘烤腔室和所述第一腔室之間以及所述其余烘烤腔室和所述第二腔室之間。從頂部觀察時，所述第一方向和所述第二方向可彼此垂直。

所述第一涂覆液和所述第二涂覆液可提供為光致抗蝕劑(PR)或旋涂硬(SOH)掩模液。

所述化學品可包括稀釋劑。

與此不同的是，所述裝置可包括：索引模塊和工藝執行模塊。所述索引模塊可包括：裝載端口，容納基板的容器位于所述裝載端口上；和傳輸框架，所述傳輸框架設置有索引機械手，所述索引機械手配置為在所述容器和所述工藝執行模塊之間傳送所述基板。所述工藝執行模塊可包括：第一腔室，所述第一腔室具有第一涂覆單元，所述第一涂覆單元配置為執行通過將第一涂覆液提供到具有圖案的基板上來形成第一涂層的第一涂覆工藝；刻蝕單元，所述刻蝕單元配置為執行通過向所述基板提供化學品來去除位于所述圖案上表面的所述第一涂層而使得所述圖案的上表面露出的刻蝕工藝；第二腔室，所述第二腔室具有第二涂覆單元，所述第二涂覆單元配置為執行通過將第二涂覆液提供到所述基板上來形成第二涂層的第二涂覆工藝；和傳輸腔室，所述傳輸腔室設置有主機械手，所述主機械手配置為在所述第一腔室和所述第二腔室之間傳送所述基板。

所述刻蝕單元可設置在所述第一腔室或所述第二腔室中。

所述工藝執行模塊可還包括：烘烤腔室，所述烘烤腔室配置為執行對所述基板進行熱處理的熱處理工藝。所述主機械手可在所述第一腔室、所述第二腔室和所述烘烤腔室中的任意兩個之間傳送所述基板。

所述第一腔室和所述第二腔室可彼此堆疊。