[發明專利]用于處理基板的裝置和方法在審
| 申請號: | 201710755167.2 | 申請日: | 2017-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN107799437A | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 崔榮;權慶蘭;李正悅;樸珉貞 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 趙丹,趙莎 |
| 地址: | 韓國忠淸南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 方法 | ||
1.一種用于處理基板的裝置,其特征在于,所述裝置包括:
索引模塊;
工藝執行模塊;和
控制器,
其中所述索引模塊包括:
裝載端口,容納基板的容器位于所述裝載端口上;和
傳輸框架,所述傳輸框架設置有索引機械手,所述索引機械手配置為在所述容器和所述工藝執行模塊之間傳送所述基板,
其中所述工藝執行模塊包括:
多個工藝腔室;和
傳輸腔室,所述傳輸腔室設置有主機械手,所述主機械手配置為在各所述工藝腔室之間傳送基板,
其中所述控制器控制所述工藝執行模塊順序地執行以下工藝:通過將第一涂覆液提供到具有圖案的基板上來形成第一涂層的第一涂覆工藝;通過向所述基板提供化學品來去除位于所述圖案上表面的所述第一涂層而使得所述圖案的上表面露出的刻蝕工藝;以及,通過將第二涂覆液提供到所述基板上而形成第二涂層的第二涂覆工藝,并且
其中所述工藝腔室包括:
第一腔室,所述第一腔室配置為執行所述第一涂覆工藝;和
第二腔室,所述第二腔室配置為執行所述第二涂覆工藝。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述刻蝕工藝在所述第一腔室或所述第二腔室中的一個中執行。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述工藝腔室還包括:
烘烤腔室,所述烘烤腔室配置為執行對所述基板進行熱處理的熱處理工藝。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述控制器控制所述工藝執行模塊在所述第一涂覆工藝和所述刻蝕工藝之間以及在所述第二涂覆工藝之后執行所述熱處理工藝。
5.根據權利要求4所述的裝置,其特征在于,所述第一腔室和所述第二腔室彼此堆疊。
6.根據權利要求5所述的裝置,其特征在于,多個第一腔室和多個第二腔室沿第一方向布置,
其中,設置多個烘烤腔室,并且一些烘烤腔室位于所述第一腔室的第二方向上并沿著第一方向布置,其余烘烤腔室位于所述第二腔室的第二方向上并沿著第一方向布置,
其中,所述傳輸腔室位于所述一些烘烤腔室和所述第一腔室之間以及所述其余烘烤腔室和所述第二腔室之間,并且
其中,當從頂部觀察時,所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的裝置,其特征在于,所述第一涂覆液和所述第二涂覆液提供為光致抗蝕劑PR或旋涂硬SOH掩模液。
8.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述化學品包括稀釋劑。
9.一種用于處理基板的裝置,其特征在于,所述裝置包括:
索引模塊;和
工藝執行模塊,
其中所述索引模塊包括:
裝載端口,容納基板的容器位于所述裝載端口上;和
傳輸框架,所述傳輸框架設置有索引機械手,所述索引機械手配置為在所述容器和所述工藝執行模塊之間傳送所述基板,
其中所述工藝執行模塊包括:
第一腔室,所述第一腔室具有第一涂覆單元,所述第一涂覆單元配置為執行通過將第一涂覆液提供到具有圖案的基板上來形成第一涂層的第一涂覆工藝;
刻蝕單元,所述刻蝕單元配置為執行通過向所述基板提供化學品來去除位于所述圖案上表面的所述第一涂層而使得所述圖案的上表面露出的刻蝕工藝;
第二腔室,所述第二腔室具有第二涂覆單元,所述第二涂覆單元配置為執行通過將第二涂覆液提供到所述基板上來形成第二涂層的第二涂覆工藝;和
傳輸腔室,所述傳輸腔室設置有主機械手,所述主機械手配置為在所述第一腔室和所述第二腔室之間傳送所述基板。
10.根據權利要求9所述的裝置,其特征在于,所述刻蝕單元設置在所述第一腔室中。
11.根據權利要求9所述的裝置,其特征在于,所述刻蝕單元設置在所述第二腔室中。
12.根據權利要求10或11所述的裝置,其特征在于,所述工藝執行模塊還包括:
烘烤腔室,所述烘烤腔室配置為執行對所述基板進行熱處理的熱處理工藝,和
其中,所述主機械手在所述第一腔室、所述第二腔室和所述烘烤腔室中的任意兩個之間傳送所述基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





