[發明專利]一種陣列基板的制造方法和陣列基板

有效

• 申請號: 201710755104.7
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107591416B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;C23F1/16
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 王麗

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步驟：

提供一第一基板；

提供第一光罩，在所述第一基板上設置主動開關，所述主動開關包括金屬層；

提供第二光罩，在所述主動開關上設置光刻膠，對所述主動開關進行第一次濕法蝕刻，對所述主動開關進行第一次干法蝕刻，對所述主動開關進行第二次濕法蝕刻，對所述主動開關進行第二次干法蝕刻，在蝕刻中用于所述金屬層的蝕刻液包括磷酸、乙酸和硝酸，所述蝕刻液中的所述硝酸的濃度為1.8％至3.0％；

提供第三光罩，在所述金屬層上設置保護層；

提供第四光罩，在所述保護層上設置像素電極層；

所述蝕刻液中的所述磷酸的濃度為60％至80％，蝕刻液中的所述乙酸的濃度為5％至15％。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述第一基板上設置所述主動開關的步驟包括：

在所述第一基板上沉積柵極層；

在所述柵極層上沉積絕緣層；

在所述絕緣層上沉積非晶硅層；

在所述非晶硅層上沉積歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上沉積金屬層。

3.如權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層、所述非晶硅層和所述歐姆接觸層構成一組合層；

所述組合層、所述金屬層、所述保護層的同側邊沿平齊，所述光刻膠在所述保護層的位置范圍內設置。

4.如權利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，

對所述主動開關進行第一次濕法蝕刻的步驟后，所述金屬層和所述保護層的位置范圍縮小至第一區域值；

對所述主動開關進行第一次干法蝕刻的步驟后，所述組合層的位置范圍縮小至第二區域值；

對所述主動開關進行第二次濕法蝕刻的步驟后，所述金屬層和所述保護層的位置范圍縮小至第三區域值。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，對所述主動開關進行第一次干法蝕刻的步驟之后還包括步驟：

對所述光刻膠進行灰化處理；

其中，對所述光刻膠進行灰化處理的步驟后，所述光刻膠的位置范圍縮小至第四區域值。

6.如權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板還包括第一保護層和第二保護層，所述絕緣層、所述非晶硅層和所述歐姆接觸層構成一組合層，所述第一保護層設置在所述組合層和所述金屬層之間，所述第二保護層設置在所述金屬層上，所述第一保護層和所述第二保護層采用鉬。

7.如權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層采用鋁，所述保護層采用鉬。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括：

第一基板；

主動開關，所述主動開關設置于所述第一基板上，所述主動開關包括非晶硅層、歐姆接觸層和金屬層；

其中，所述非晶硅層的邊沿超出所述金屬層的同側邊沿的長度，大于所述歐姆接觸層的邊沿超出所述金屬層的同側邊沿的長度；

其中，外側的所述歐姆接觸層的邊沿超出所述金屬層的同側邊沿的長度，大于內側的所述歐姆接觸層的邊沿超出所述金屬層的同側邊沿的長度；

其中，用于所述金屬層的蝕刻液包括磷酸、乙酸和硝酸三者任意組合或者三者任一；

所述非晶硅層的邊沿長于所述金屬層的同側邊沿第一尾部值，所述第一尾部值小于1.2μm；所述歐姆接觸層的邊沿長于所述金屬層的同側邊沿第二尾部值，所述第二尾部值小于0.8μm。