[發(fā)明專利]一種陣列基板的制造方法和陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710755104.7
• 申請(qǐng)日: 2017-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107591416B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卓恩宗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;C23F1/16
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 王麗

本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板的制造方法，制造方法包括步驟：提供一第一基板；提供第一光罩，在第一基板上設(shè)置主動(dòng)開(kāi)關(guān)；提供第二光罩，在主動(dòng)開(kāi)關(guān)上設(shè)置光刻膠，對(duì)主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第一次濕法蝕刻，對(duì)主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第一次干法蝕刻，對(duì)主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第二次濕法蝕刻，對(duì)主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第二次干法蝕刻；其中，主動(dòng)開(kāi)關(guān)包括金屬層，用于金屬層的蝕刻液包括磷酸、乙酸和硝酸，蝕刻液中的硝酸的濃度為1.8％至3.0％；提供第三光罩，在金屬上設(shè)置保護(hù)層；提供第四光罩，在保護(hù)層上設(shè)置像素電極層。本發(fā)明由于降低在蝕刻(2W2D)步驟中用于金屬層的蝕刻液里硝酸的濃度，經(jīng)調(diào)控減少主動(dòng)開(kāi)關(guān)中非晶硅層和歐姆接觸層的邊緣長(zhǎng)度，從而降低源/漏極層線寬較小可能有斷線風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法和陣列基板。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的顯示器一般都基于主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制，具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，主要包括液晶顯示器、OLED(Organic Light-Emitting Diode)顯示器、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)顯示器、等離子顯示器等、從外觀結(jié)構(gòu)來(lái)看，既有平面型顯示器、也有曲面型顯示器。

對(duì)于液晶顯示器，包括液晶面板及背光模組(Backlight Module)兩大部分，液晶顯示器的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，并在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫面。

對(duì)于OLED顯示器，采用發(fā)光二極管自發(fā)光來(lái)進(jìn)行顯示，具有自發(fā)光、廣視角、幾乎無(wú)窮高的對(duì)比度、較低耗電、極高反應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)。

QLED顯示器結(jié)構(gòu)與OLED技術(shù)非常相似，主要區(qū)別在于QLED的發(fā)光中心由量子點(diǎn)(Quantum dots)物質(zhì)構(gòu)成。其結(jié)構(gòu)是兩側(cè)電子(Electron)和空穴(Hole)在量子點(diǎn)層中匯聚后形成光子(Exciton)，并且通過(guò)光子的重組發(fā)光。

然而，隨著顯示器逐漸往超大尺寸、高驅(qū)動(dòng)頻率、高分辨率等方面發(fā)展，然而TFT結(jié)構(gòu)常為倒置錯(cuò)排結(jié)構(gòu)，即為底柵電極且與源/漏極分別位于a-Si層兩側(cè)，這樣該結(jié)構(gòu)器件中往往因蝕刻處理后源/漏極層線寬較小可能有斷線風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種防止金屬層斷線的陣列基板的制造方法。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法包括：

一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括步驟：

提供一第一基板；

在所述第一基板上設(shè)置主動(dòng)開(kāi)關(guān)；

在所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)上設(shè)置光刻膠；

對(duì)所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第一次濕法蝕刻；

對(duì)所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第一次干法蝕刻；

對(duì)所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第二次濕法蝕刻；

對(duì)所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行第二次干法蝕刻；

其中，所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)包括金屬層，用于所述金屬層的蝕刻液包括磷酸、乙酸和硝酸，所述蝕刻液中的所述硝酸的濃度為1.8％至3.0％。

其中，在所述第一基板上設(shè)置主動(dòng)開(kāi)關(guān)的步驟包括：

在所述第一基板上沉積柵極層；

在所述柵極層上沉積絕緣層；

在所述絕緣層上沉積非晶硅層；

在所述非晶硅層上沉積歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上沉積金屬層。