[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201710750724.1
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107799436B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 今井正芳;德重克彥;小倉大;渡邊和英;國澤淳次;飯泉健;宮崎充
• 申請（專利權）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

提供一種基板處理裝置，具備：研磨部，該研磨部使用研磨液來對基板進行研磨；第一清洗部，該第一清洗部使用硫酸及過氧化氫溶液來對由所述研磨部研磨后的基板進行清洗；第二清洗部，該第二清洗部使用堿性的藥液及過氧化氫溶液來對由所述第一清洗部清洗了的基板進行清洗；干燥部，該干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。這樣的基板處理裝置及基板處理方法能夠以較少的工序對研磨后的基板進行充分地清洗。

技術領域

本發明涉及一種基板處理裝置及一種基板處理方法。

背景技術

CMP(Chemical?Mechanical?Polishing，化學機械拋光)裝置等的基板處理裝置使用漿料來對基板進行研磨，并在其后對基板進行清洗。但是，在基板處理裝置內的清洗中，清洗力未必充分，大多使用與基板處理裝置分體的基板清洗裝置來對基板進行清洗。如此，有導致基板處理的工序數增加的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開第2008-114183號公報

專利文獻2：日本特許第3725809號公報

本發明鑒于這樣的問題點而完成，該課題是提供能夠以較少的工序對研磨后的基板進行充分的清洗的基板處理裝置及基板處理方法。

發明內容

本根據本發明的一方式，提供一種基板處理裝置，具備：研磨部，該研磨部使用研磨液來對基板進行研磨；第一清洗部，該第一清洗部使用硫酸及過氧化氫溶液來對由所述研磨部研磨后的基板進行清洗；第二清洗部，該第二清洗部使用堿性的藥液及過氧化氫溶液來對由所述第一清洗部清洗后的基板進行清洗；干燥部，該干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。

在基板處理裝置內設置第一清洗部及第二清洗部。并且，通過使用硫酸及過氧化氫溶液的第一清洗部所進行的清洗，能夠除去研磨液。通過使用堿性的藥液及過氧化氫溶液的第二清洗部所進行的清洗，能夠除去由第一清洗部所使用的硫酸產生的成分。由此，能夠以較少的工序數對研磨后的基板進行充分清洗。

最好是，不具有使由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的所述基板干燥的機構。

并且，最好是，具備搬運部，該搬運部不使由所述研磨部研磨后的基板干燥就將該基板搬運到所述第一清洗部。

進一步，最好是，具備第一液體供給機構，該第一液體供給機構對由所述搬運部搬運中的基板沖淋液體。

并且，最好是，該搬運部具備基板站和第二液體供給機構，在所述基板站載放由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的基板，所述第二液體供給機構對載放于所述基板站的基板沖淋液體。

通過不使研磨后的基板干燥，能夠在由第一清洗部進行清洗時更有效率地除去基板上的殘渣。

最好是，所述第一清洗部收納于第一框體，該第一框體設有可開閉的第一閘門，所述第二清洗部收納于第二框體，該第二框體設有可開閉的第二閘門，所述干燥部收納于第三框體，該第三框體設有可開閉的第三閘門。

由此，能夠抑制第一清洗部所使用的硫酸、過氧化氫溶液侵入到第二清洗部、干燥部，能夠抑制第二清洗部所使用的堿性的藥液、過氧化氫溶液侵入到第一清洗部、干燥部。

最好是，具備第三清洗部，該第三清洗部使用堿性的藥液及過氧化氫溶液來對由所述研磨部研磨后的基板進行清洗，所述第一清洗部對由所述第三清洗部清洗后的基板進行清洗。

最好是，所述第三清洗部一邊將堿性的藥液及過氧化氫溶液供給到所述基板，一邊使清洗部件接觸并清洗所述基板。

最好是，所述第二清洗部在使用堿性的藥液及過氧化氫溶液對所述基板進行清洗之后，進行雙流體噴射清洗。

通過這些結構，能夠提高清洗能力。