[發明專利]TFT基板的制作方法及TFT顯示裝置的制作方法

在審

• 申請號: 201710749034.4
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107622974A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 李松杉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L21/3213
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種TFT基板的制作方法及一種TFT顯示裝置的制作方法。

背景技術

LCD(liquid crystal display，液晶顯示器)面板是液晶顯示器的重要組件之一，現有的TFT(thin film transistor，薄膜場效應晶體管)LCD面板由于其功率低、體積小、無輻射等優點，被廣泛的用于液晶顯示器中。

有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)單元是一種有機薄膜電致發光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、發光效率高、易形成柔性結構、視角寬等優點。因此，利用OLED的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。

如圖1所示，在傳統的源漏極金屬層的蝕刻工藝中，通常采用Cl₂氣體和BCl₃氣體13對所述源漏極金屬層11進行蝕刻；但是在利用物理氣相沉積技術沉積源漏極金屬層11之后，所述源漏極金屬層11表面的金屬容易在空氣中被氧氣氧化成金屬氧化物14，殘留在源漏極金屬層11的表面，在后續Cl₂氣體和BCl₃氣體13對所述源漏極金屬層11進行干性蝕刻的過程中，由于源漏極金屬層11部分表面附著有金屬氧化物14，容易造成干性蝕刻速度較慢，而表面沒有附著金屬氧化物的部分則會被蝕刻速度較快，這會導致源漏極金屬層11源極和漏極的均一性較差，進而影響TFT器件的特性。

發明內容

本發明提供一種TFT基板的制作方法及一種TFT顯示裝置的制作方法，能夠保證源漏極金屬層每個蝕刻區域的蝕刻速度相同，從而大幅度提高源漏極金屬層蝕刻后的整體均一性，進而大幅度改善TFT器件的性能。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

在本發明的一個方面，提供了一種TFT基板的制作方法，所述TFT基板的制作方法包括：

步驟S10、提供一襯底基板；

步驟S20、在所述襯底基板上形成源漏極金屬層；

步驟S30、在所述源漏極金屬層上沉積一層光刻膠薄膜，在所述光刻膠薄膜上蝕刻所需的圖案；

步驟S40、采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻；

步驟S50、剝離所述光刻膠；

其中，采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻的方法包括：

步驟S401、采用BCl₃氣體除掉所述源漏極金屬層表面由于接觸空氣而產生的金屬氧化物；

步驟S402、采用Cl₂氣體和BCl₃氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻。

根據本發明一優選實施例，所述源漏極金屬層包括從底到頂依次層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。

根據本發明一優選實施例，所述第一金屬層和所述第三金屬層為鈦金屬層，所述第二金屬層為鋁金屬層。

根據本發明一優選實施例，所述S401步驟中的金屬氧化物為鈦被腐蝕得到的鈦氧化物。

根據本發明一優選實施例，所述源漏極金屬層每個蝕刻區域的蝕刻速度保持相同。

根據本發明一優選實施例，所述步驟S401中，所述BCl₃氣體的預設流量為1000標準毫升/分鐘。

根據本發明一優選實施例，所述步驟S402中，所述Cl₂氣體的預設流量為1200～1600標準毫升/分鐘，所述BCl₃氣體的預設流量為150～200標準毫升/分鐘。

根據本發明另一方面，提供了一種TFT顯示裝置的制作方法，所述TFT顯示裝置的制作方法包括：制作TFT基板的步驟，以及在所述TFT基板上制作顯示器件的步驟；其中，所述制作TFT基板的步驟包括：

步驟S10、提供一襯底基板；

步驟S20、在所述襯底基板上形成源漏極金屬層；

步驟S30、在所述源漏極金屬層上沉積一層光刻膠薄膜，在所述光刻膠薄膜上蝕刻所需的圖案；

步驟S40、采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻；

步驟S50、剝離所述光刻膠；

其中，采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻的步驟包括：

步驟S401、采用BCl₃氣體除掉所述源漏極金屬層表面由于接觸空氣而產生的金屬氧化物；

步驟S402、采用Cl₂氣體和BCl₃氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻。