[發明專利]TFT基板的制作方法及TFT顯示裝置的制作方法

在審

• 申請號: 201710749034.4
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107622974A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 李松杉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L21/3213
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：

步驟S10、提供一襯底基板；

步驟S20、在所述襯底基板上形成源漏極金屬層；

步驟S30、在所述源漏極金屬層上沉積一層光刻膠薄膜，在所述光刻膠薄膜上蝕刻所需的圖案；

步驟S40、采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻；

步驟S50、剝離所述光刻膠；

其中，采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻的方法包括：

步驟S401、采用BCl₃氣體除掉所述源漏極金屬層表面由于接觸空氣而產生的金屬氧化物；

步驟S402、采用Cl₂氣體和BCl₃氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源漏極金屬層包括從底到頂依次層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。

3.根據權利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第三金屬層為鈦金屬層，所述第二金屬層為鋁金屬層。

4.根據權利要求3所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述S401步驟中的金屬氧化物為鈦被腐蝕得到的鈦氧化物。

5.根據權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源漏極金屬層每個蝕刻區域的蝕刻速度保持相同。

6.根據權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S401中，所述BCl₃氣體的預設流量為1000標準毫升/分鐘。

7.根據權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S402中，所述Cl₂氣體的預設流量為1200～1600標準毫升/分鐘，所述BCl₃氣體的預設流量為150～200標準毫升/分鐘。

8.一種TFT顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述TFT顯示裝置的制作方法包括：制作TFT基板的步驟，以及在所述TFT基板上制作顯示器件的步驟；其中，所述制作TFT基板的步驟包括：

步驟S10、提供一襯底基板；

步驟S20、在所述襯底基板上形成源漏極金屬層；

步驟S30、在所述源漏極金屬層上沉積一層光刻膠薄膜，在所述光刻膠薄膜上蝕刻所需的圖案；

步驟S40、采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻；

步驟S50、剝離所述光刻膠；

其中，采用蝕刻氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻的步驟包括：

步驟S401、采用BCl₃氣體除掉所述源漏極金屬層表面由于接觸空氣而產生的金屬氧化物；

步驟S402、采用Cl₂氣體和BCl₃氣體對所述源漏極金屬層進行蝕刻。

9.根據權利要求8所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源漏極金屬層包括從底到頂依次層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。

10.根據權利要求9所述的TFT顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第三金屬層為鈦金屬層，所述第二金屬層為鋁金屬層。