[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、排液頭基板、排液頭以及排液設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710748982.6
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107799153B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤井一成;根岸俊雄
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;B41J2/01
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 魏小薇

本發(fā)明公開了半導(dǎo)體器件、排液頭基板、排液頭以及排液設(shè)備。一種半導(dǎo)體器件，包括連接到具有第一電位的端子的晶體管、連接在晶體管和具有不同于第一電位的第二電位的端子之間的反熔絲元件，以及與反熔絲元件并聯(lián)連接的電阻器元件。晶體管和反熔絲元件之間的電氣路徑的長度小于晶體管和電阻器元件之間的電氣路徑的長度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及包括具有金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的反熔絲元件的半導(dǎo)體器件、排液頭基板、排液頭以及排液設(shè)備。

背景技術(shù)

近年來，在半導(dǎo)體器件中已經(jīng)采用了用于在產(chǎn)品完成之后記錄產(chǎn)品唯一信息(諸如芯片標(biāo)識(ID)和設(shè)定參數(shù))的一次性可編程(OTP)存儲器。有兩種類型的OTP存儲器可用。一種使用熔絲元件，另一種使用反熔絲元件。日本專利申請公開No.2014-58130討論了具有采用反熔絲元件的配置的常規(guī)技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一方面的半導(dǎo)體器件，包括：連接到具有第一電位的端子的晶體管、連接在晶體管和具有不同于第一電位的第二電位的端子之間的反熔絲元件以及與反熔絲元件并聯(lián)連接在晶體管和具有第二電位的端子之間的電阻器元件。晶體管和反熔絲元件之間的電氣路徑的長度小于晶體管和電阻器元件之間的電氣路徑的長度。

根據(jù)本公開的另一方面的半導(dǎo)體器件，包括：連接到具有第一電位的端子的晶體管、連接在晶體管和具有不同于第一電位的第二電位的端子之間的反熔絲元件，以及與反熔絲元件并聯(lián)連接在晶體管和具有第二電位的端子之間的電阻器元件。晶體管、反熔絲元件和電阻器元件布置在半導(dǎo)體基板上。在其中布置有晶體管、反熔絲元件和電阻器元件的半導(dǎo)體基板的表面的平面圖中，晶體管和反熔絲元件之間的距離小于晶體管和電阻器元件之間的距離。

根據(jù)本發(fā)明的還有另一方面的半導(dǎo)體器件，包括：連接到具有第一電位的端子的晶體管、連接在晶體管和具有不同于第一電位的第二電位的端子之間的反熔絲元件，以及與反熔絲元件并聯(lián)連接在晶體管和具有第二電位的端子之間的電阻器元件。用于連接晶體管和反熔絲元件的布線的電阻小于用于連接晶體管和電阻器元件的布線的電阻。

從以下參照附圖對示例性實(shí)施例的描述，本公開的其他特征將變得清楚。

附圖說明

圖1是例示根據(jù)第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路配置的圖。

圖2是例示根據(jù)第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路配置的圖。

圖3是包括半導(dǎo)體器件的排液頭基板的一部分的平面圖。

圖4是排液頭基板的一部分的示意性橫截面視圖。

圖5是排液頭基板的示意性平面圖。

圖6是例示根據(jù)第二示例性實(shí)施例的排液頭基板中的布置的示例的圖。

圖7是例示根據(jù)第二示例性實(shí)施例的排液頭基板的電路配置的示例的圖。

圖8是例示根據(jù)第二示例性實(shí)施例的排液頭基板中的布置的示例的圖。

圖9A-圖9D是例示根據(jù)第三示例性實(shí)施例的排液設(shè)備的圖。

具體實(shí)施方式

在日本專利申請公開No.2014-58130中討論的半導(dǎo)體器件包括反熔絲元件、晶體管以及與反熔絲元件并聯(lián)連接的電阻器元件。這種半導(dǎo)體器件由于元件之間的布線中的寄生電阻而具有讀取被寫入反熔絲元件的信息的準(zhǔn)確度發(fā)生劣化的風(fēng)險(xiǎn)。日本專利申請公開No.2014-58130中沒有提到這種風(fēng)險(xiǎn)。

下面描述第一示例性實(shí)施例。圖1例示了在信息被寫入反熔絲元件之前的狀態(tài)下的根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路配置的示例。