[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、排液頭基板、排液頭以及排液設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710748982.6
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107799153B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤井一成;根岸俊雄
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;B41J2/01
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

晶體管，連接到具有第一電位的端子；

反熔絲元件，串聯(lián)連接在所述晶體管和具有不同于所述第一電位的第二電位的端子之間；以及

電阻器元件，與所述反熔絲元件并聯(lián)連接在所述晶體管和具有所述第二電位的端子之間，

其中所述晶體管和所述反熔絲元件之間的電氣路徑的長度小于所述晶體管和所述電阻器元件之間的電氣路徑的長度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述晶體管的溝道形成區(qū)在半導(dǎo)體基板中形成，以及

其中所述電阻器元件包括在所述半導(dǎo)體基板中形成的半導(dǎo)體區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述反熔絲元件具有MOS結(jié)構(gòu)并且被配置為使得信息通過柵極絕緣膜的介電擊穿被寫入。

4.一種排液頭基板，其特征在于，包括：

多個排出元件，被配置為排出液體；

控制電路，電連接到所述多個排出元件；以及

根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，電連接到所述控制電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的排液頭基板，其中所述多個排出元件布置在第一方向上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的排液頭基板，其中所述電阻器元件具有縱向方向在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的排液頭基板，其中所述排出元件是加熱器。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

晶體管，連接到具有第一電位的端子；

反熔絲元件，連接在所述晶體管和具有不同于所述第一電位的第二電位的端子之間；以及

電阻器元件，與所述反熔絲元件并聯(lián)連接在所述晶體管和具有所述第二電位的端子之間，

其中所述晶體管、所述反熔絲元件和所述電阻器元件布置在半導(dǎo)體基板上，

其中，在其中布置有所述晶體管、所述反熔絲元件和所述電阻器元件的所述半導(dǎo)體基板的表面的平面圖中，所述晶體管和所述反熔絲元件之間的距離小于所述晶體管和所述電阻器元件之間的距離，以及

其中所述晶體管、所述反熔絲元件和所述電阻器元件布置在所述半導(dǎo)體基板的所述表面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中用于連接所述晶體管和所述反熔絲元件的布線的長度小于用于連接所述晶體管和所述電阻器元件的布線的長度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述晶體管的溝道形成區(qū)在所述半導(dǎo)體基板中形成，以及

其中所述電阻器元件包括在所述半導(dǎo)體基板中形成的半導(dǎo)體區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述反熔絲元件具有MOS結(jié)構(gòu)并且被配置為使得信息通過柵極絕緣膜的介電擊穿被寫入。

12.一種排液頭基板，其特征在于，包括：

多個排出元件，被配置為排出液體；

控制電路，電連接到所述多個排出元件；以及

根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，電連接到所述控制電路。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的排液頭基板，其中所述多個排出元件布置在第一方向上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的排液頭基板，其中所述電阻器元件具有縱向方向在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的形狀。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的排液頭基板，其中所述排出元件是加熱器。