[發明專利]懸垂型噴射器的支承構造和基板處理裝置有效
| 申請號: | 201710748564.7 | 申請日: | 2017-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN107799435B | 公開(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發明(設計)人: | 佐佐木祐也;高橋喜一;竹內靖 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 懸垂 噴射器 支承 構造 處理 裝置 | ||
1.一種懸垂型噴射器的支承構造,其具有:
懸垂型噴射器,其具有沿著鉛垂方向延伸的管狀的鉛垂部;
1個以上的缺口部,其是對該鉛垂部的上端附近的外周面進行局部切除而形成的;
一對保持構件,其在各自的內周面具有與該缺口部卡合的平坦面,所述一對保持構件能夠從兩側夾持所述懸垂型噴射器的所述鉛垂部而卡合保持所述鉛垂部;以及
支承構造部,其從上下夾持該一對保持構件來固定支承該一對保持構件,并能夠懸垂支承所述懸垂型噴射器,
其中,所述支承構造部包括:
基部,其包括收容所述一對保持構件的凹部,以及
按壓構件,其按壓所述一對保持構件的上表面和所述基部的上表面。
2.根據權利要求1所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述懸垂型噴射器由石英形成,
所述保持構件由樹脂形成。
3.根據權利要求2所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述樹脂是氟化碳樹脂。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述支承構造部還具有:
彈性構件,其隔著套筒彈性支承所述保持構件的底面。
5.根據權利要求4所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
該基部具有:
貫通孔,其供所述懸垂型噴射器的所述鉛垂部貫通,
所述凹部能夠將所述彈性構件、所述套筒和所述保持構件收容于該貫通孔的上端部。
6.根據權利要求5所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述懸垂型噴射器的所述鉛垂部在所述缺口部的正下方具有整周被削除到與所述缺口部相同的面的帶狀的凹坑部,
所述彈性構件是O形環,該彈性構件設置為與所述凹部的底面、所述凹坑部、所述套筒的底面接觸。
7.根據權利要求6所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述按壓構件是流體的導入配管的下端部,該按壓構件覆蓋由所述保持構件保持著的所述懸垂型噴射器的上端,并且與所述懸垂型噴射器連通。
8.根據權利要求7所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
該懸垂型噴射器的支承構造還具有螺母構件,螺母構件覆蓋所述按壓構件的上表面和側面、所述基部的側面的至少上部,并且供所述導入配管貫通,
該螺母構件通過與所述基部的側面螺紋結合來按壓所述按壓構件。
9.根據權利要求8所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
在所述按壓構件與所述基部之間設置有密封構件。
10.根據權利要求9所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
在所述基部的底面設置有密封構件,所述基部構成為能夠具有氣密性地設置于處理室的上表面。
11.根據權利要求1~3中任一項所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述懸垂型噴射器呈在所述鉛垂部之下具有水平延伸的部分的T字或L字的形狀,
利用所述鉛垂部的缺口部與所述保持構件之間的卡合來進行所述T字或所述L字的形狀的定位。
12.根據權利要求1~3中任一項所述的懸垂型噴射器的支承構造,其中,
所述懸垂型噴射器整體上構成為所述鉛垂部。
13.根據權利要求1~3中任一項所述的懸垂型噴射器的支承構造,
所述缺口部在所述懸垂型噴射器的所述外周面的相對面彼此成對地形成。
14.一種基板處理裝置,其具有:
處理室;以及
權利要求1~13中任一項所述的懸垂型噴射器的支承構造,其設置于該處理室的上表面,
該懸垂型噴射器的支承構造的所述懸垂型噴射器從所述上表面導入到所述處理室內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





