[發明專利]AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板

在審

• 申請號: 201710747902.5
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107622973A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 馬蹄遙
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/324
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種AMOLED基板的制作方法和AMOLED基板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，主動矩陣式有機發光二極管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，簡稱AMOLED)顯示裝置的技術日見成熟，已經越來越多的應用在各個顯示領域。

在AMOLED顯示屏幕生產中，會使用到一種柔性聚酰亞胺(PI)基底，工藝中會在該PI基底上制作薄膜晶體管陣列(Array Thin Film Transistor,Array TFT),要求PI基底材料具有良好的耐溫、耐化，及抗阻水氧化性能；在Array TFT制作過程中，引用到了準分子激光退火制程；在準分子激光退火制程中，激光容易穿透緩沖層和間隔層，對PI膜造成直接影響，激光甚至會直接燒焦PI膜，造成不可彌補的缺陷。

現階段PI膜的涂覆及緩沖層的制作工藝步驟為：

步驟1、清洗玻璃基板；

步驟2、在所述玻璃基板上涂覆PI膜；

步驟3、對所述PI膜進行干燥和固化；

步驟4、在所述PI膜上形成隔離層；

步驟5、在所述隔離層上形成緩沖層。

發明內容

本發明提供了一種AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板，以解決在制備TFT陣列的過程中，因準分子激光穿透緩沖層和隔離層對PI膜造成直接影響，甚至直接燒焦PI膜的問題。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

根據本發明的一個方面，提供了一種AMOLED基板的制作方法，所述AMOLED基板的制作方法包括如下步驟：

步驟S10、提供一襯底基板；

步驟S20、在所述襯底基板上形成PI膜；

步驟S30、在所述PI膜表面形成隔離層；

步驟S40、在所述隔離層表面形成非金屬層；

步驟S50、在所述非金屬層表面形成緩沖層；

步驟S60、在所述緩沖層表面形成TFT陣列，在形成TFT陣列中采用有準分子激光退火工藝；

其中，設置于所述PI膜上方的所述非金屬層用于吸收所述TFT陣列的制備過程中穿透所述緩沖層的激光。

根據本發明一實施例，在步驟S60中使用的準分子激光的波長為308nm。

根據本發明一實施例，所述非金屬層包括非晶硅層和氧化硅層。

根據本發明一實施例，所述緩沖層為氮化硅層。

根據本發明一實施例，所述氧化硅層設置于所述非晶硅層的表面靠近氮化硅層的一側。

根據本發明一實施例，所述步驟S50為:

采用等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述隔離層上對所述非金屬層進行成膜。

根據本發明的另一方面，提供了一種AMOLED基板，所述AMOLED基板包括依次層疊設置的柔性襯底、PI膜、隔離層、非金屬層、緩沖層和TFT陣列；

其中，設置于所述PI膜上方的所述非金屬層用于吸收TFT陣列的制備過程中穿透所述緩沖層的激光。

根據本發明一實施例，其特征在于，所述非金屬層包括非晶硅層和氧化硅層。

根據本發明一實施例，所述緩沖層為氮化硅層。

根據本發明一實施例，所述氧化硅層設置于所述非晶硅層的表面靠近氮化硅層的一側。

本發明提供了一種AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板，通過在隔離層上制備一非金屬層以吸收在所述TFT陣列的制備過程中穿透所述緩沖層的激光，從而避免所述激光對PI膜的影響，進而提高了AMOLED的生產效率。

附圖說明

為了更清楚地說明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明一實施例的AMOLED基板制作方法流程圖；

圖2為本發明一實施例的AMOLED基板的結構示意圖；

圖3a-3f為本發明實施例的AMOLED基板制作方法的工藝流程圖；

圖4為本發明實施例的AMOLED基板的又一結構示意圖；

圖5為本發明又一實施例的AMOLED基板的結構示意圖。

具體實施方式