[發明專利]AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板在審
| 申請號： | 201710747902.5 | 申請日： | 2017-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN107622973A | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發明（設計）人： | 馬蹄遙 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/324 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | amoled 制作方法 基板 | ||
1.一種AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述AMOLED基板的制作方法包括如下步驟：
步驟S10、提供一襯底基板；
步驟S20、在所述襯底基板表面形成PI膜；
步驟S30、在所述PI膜表面形成隔離層；
步驟S40、在所述隔離層表面形成非金屬層；
步驟S50、在所述非金屬層表面形成緩沖層；
步驟S60、在所述緩沖層表面形成TFT陣列，在形成TFT陣列中采用有準分子激光退火工藝；
其中，設置于所述PI膜上方的所述非金屬層用于吸收所述TFT陣列的制備過程中穿透所述緩沖層的激光。
2.根據權利要求1所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，在步驟S60中使用的準分子激光的波長為308nm。
3.根據權利要求2所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述非金屬層包括層疊設置的非晶硅層和氧化硅層。
4.根據權利要求3所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述緩沖層為氮化硅層。
5.根據權利要求4所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述氧化硅層設置于所述非晶硅層的表面靠近氮化硅層的一側。
6.根據權利要求1所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40為:
采用等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述隔離層上對所述非金屬層進行成膜。
7.一種AMOLED基板，其特征在于，所述AMOLED基板包括依次層疊設置的柔性襯底、PI膜、隔離層、非金屬層、緩沖層和TFT陣列；
其中，設置于所述PI膜上方的所述非金屬膜層用于吸收TFT陣列制備過程中穿透所述緩沖層的激光。
8.根據權利要求7所述的AMOLED基板，其特征在于，所述非金屬層包括非晶硅層和氧化硅層。
9.根據權利要求8所述的AMOLED基板，其特征在于，所述緩沖層為氮化硅層。
10.根據權利要求9所述的AMOLED基板，其特征在于，所述氧化硅層設置于所述非晶硅層的表面靠近氮化硅層的一側。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710747902.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種具有可粘結蓋片結構且制作方便的包裝盒
- 下一篇：一種新型瓦楞紙包裝箱
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
