[發(fā)明專利]OLED像素結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710745225.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107565054B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓佰祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;劉巍

本發(fā)明涉及一種OLED像素結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法。該OLED像素結(jié)構(gòu)包括：每個(gè)子像素的陽(yáng)極設(shè)有作為正常像素驅(qū)動(dòng)輸入點(diǎn)的第一引出點(diǎn)，以及作為修復(fù)接入點(diǎn)的第二引出點(diǎn)；對(duì)應(yīng)于多個(gè)子像素的陽(yáng)極的第二引出點(diǎn)，在垂直方向設(shè)有至少一金屬層走線。該修復(fù)方法包括：步驟S1、在該缺陷點(diǎn)的第一引出點(diǎn)處切斷該缺陷點(diǎn)的陽(yáng)極；步驟S2、將該缺陷點(diǎn)的第二引出點(diǎn)與金屬層走線熔接，將與該缺陷點(diǎn)相鄰的同色子像素的第二引出點(diǎn)與金屬層走線熔接；步驟S3、在熔接位置切斷該金屬層走線，保持該金屬層走線連接該缺陷點(diǎn)與相鄰的同色子像素的部分連通。本發(fā)明的OLED像素結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法采用了一種特殊的陽(yáng)極設(shè)計(jì)方式，可以方便將由制程導(dǎo)致的亮暗點(diǎn)修復(fù)成可控點(diǎn)，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED像素結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法。

背景技術(shù)

作為新一代顯示技術(shù)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，因此備受市場(chǎng)的青睞。

OLED顯示裝置按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。OLED按照光出射方向的不同，可以分為兩種結(jié)構(gòu)：一種是底發(fā)射型，另一種是頂發(fā)射型。頂發(fā)射型OLED所發(fā)出的光是從器件的頂部出射，能有效的提高開(kāi)口率。

參見(jiàn)圖1，其為傳統(tǒng)OLED像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖1所示OLED像素結(jié)構(gòu)為頂發(fā)射型，主要包括由下至上依次設(shè)置的玻璃基板10，第一金屬層11，柵極保護(hù)層12，有源層13，蝕刻阻擋層14，第二金屬層15，第一平坦層16，陽(yáng)極17，第二平坦層18，有機(jī)發(fā)光材料層19，以及透明陰極20。OLED像素的電路結(jié)構(gòu)主要包括TFT(薄膜晶體管)，C(電容)，以及OLED器件，圖1所示OLED像素結(jié)構(gòu)中，由下至上層疊的玻璃基板10，第一金屬層11，柵極保護(hù)層12，有源層13，蝕刻阻擋層14，第二金屬層15，以及第一平坦層16可以對(duì)應(yīng)形成TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其中，通過(guò)第一金屬層11可以形成TFT的柵極，可以稱之為柵極金屬層，通過(guò)第二金屬層15可以形成TFT的源漏極，可以稱之為源漏極金屬層，第一金屬層11和第二金屬層15除形成TFT外，還可以用于形成電容及金屬走線；由下至上層疊的陽(yáng)極17，第二平坦層18，有機(jī)發(fā)光材料層19，以及透明陰極20可以對(duì)應(yīng)形成OLED器件結(jié)構(gòu)，陽(yáng)極17以及有機(jī)發(fā)光材料層19上方光線射出透明陰極20的位置形成發(fā)光區(qū)，也可以稱之為開(kāi)口區(qū)。

高解析度面板的開(kāi)發(fā)是未來(lái)的發(fā)展主流，隨著像素集成度的增加，設(shè)計(jì)規(guī)則(Design Rule)的緊縮，制程良率受到極大的影響，修復(fù)設(shè)計(jì)顯得越來(lái)越重要。

傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)中，根據(jù)有機(jī)發(fā)光材料層的不同，分別形成R，G，B等各種顏色的子像素，如果RGB子像素中某個(gè)子像素由于制程缺陷導(dǎo)致亮點(diǎn)，通常切斷陽(yáng)極將該子像素修復(fù)為暗點(diǎn)，但暗點(diǎn)同樣影響品質(zhì)。參見(jiàn)圖2，其為傳統(tǒng)OLED像素結(jié)構(gòu)的修復(fù)方式示意圖，圖2從俯視角度表現(xiàn)傳統(tǒng)OLED像素結(jié)構(gòu)的修復(fù)方式，各結(jié)構(gòu)之間位置關(guān)系僅作為參考。如圖2所示的OLED像素結(jié)構(gòu)，除按照子像素顏色劃分為R，G，B三種顏色的子像素外，每個(gè)子像素還可以按照發(fā)光區(qū)域與非發(fā)光區(qū)域劃分為電路區(qū)1和發(fā)光區(qū)2，結(jié)合圖1可知，像素結(jié)構(gòu)的TFT和電容等像素電路結(jié)構(gòu)主要設(shè)置于電路區(qū)1的范圍，像素的OLED器件結(jié)構(gòu)主要設(shè)置于發(fā)光區(qū)2的范圍。結(jié)合圖1可知，子像素的發(fā)光區(qū)2對(duì)應(yīng)設(shè)置有由上至下層疊的第二平坦層18，陽(yáng)極17，以及第一平坦層16，陽(yáng)極17設(shè)有第一引出點(diǎn)4，第一平坦層16設(shè)有過(guò)孔3以供陽(yáng)極17的第一引出點(diǎn)4通過(guò)過(guò)孔3搭接第一平坦層16下方的第二金屬層15(即源漏極金屬層)，第一引出點(diǎn)4作為正常的像素驅(qū)動(dòng)輸入點(diǎn)連接相應(yīng)像素電路的TFT。如圖2所示，當(dāng)G子像素由于制程缺陷導(dǎo)致亮點(diǎn)時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)采用在第一引出點(diǎn)4的位置切斷陽(yáng)極17的方式來(lái)修復(fù)，也就是將陽(yáng)極17斷開(kāi)與相應(yīng)像素電路的TFT的源漏極的連接，將G子像素修復(fù)為暗點(diǎn)，但是這樣修復(fù)產(chǎn)生的暗點(diǎn)會(huì)影響顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容