[發明專利]OLED像素結構及其修復方法有效
| 申請號： | 201710745225.3 | 申請日： | 2017-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN107565054B | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 韓佰祥 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂;劉巍 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 像素 結構 及其 修復 方法 | ||
1.一種OLED像素結構，其特征在于，包括：每個子像素的陽極設有作為正常像素驅動輸入點的第一引出點，以及作為修復接入點的第二引出點；對應于多個子像素的陽極的第二引出點，在平行于多個第二引出點的排列方向設有至少一金屬層走線；所述金屬層走線與各個第二引出點重疊設置；
當修復作為缺陷點的某一子像素時，在該缺陷點的第一引出點處切斷該缺陷點的陽極，將該缺陷點的第二引出點與金屬層走線熔接，將與該缺陷點相鄰的同色子像素的第二引出點與同一金屬層走線熔接，在熔接位置切斷該金屬層走線，保持該金屬層走線連接該缺陷點與相鄰的同色子像素的部分連通。
2.如權利要求1所述的OLED像素結構，其特征在于，所述金屬層走線通過源漏極金屬層制作。
3.如權利要求1所述的OLED像素結構，其特征在于，該OLED像素結構為頂發射OLED像素結構。
4.一種OLED像素結構的修復方法，其特征在于，所述OLED像素結構包括：每個子像素的陽極設有作為正常像素驅動輸入點的第一引出點，以及作為修復接入點的第二引出點；對應于多個子像素的陽極的第二引出點，在平行于多個第二引出點的排列方向設有至少一金屬層走線；所述金屬層走線與各個第二引出點重疊設置；
當修復作為缺陷點的某一子像素時，包括：
步驟S1、在該缺陷點的第一引出點處切斷該缺陷點的陽極；
步驟S2、將該缺陷點的第二引出點與金屬層走線熔接，將與該缺陷點相鄰的同色子像素的第二引出點與同一金屬層走線熔接；
步驟S3、在熔接位置切斷該金屬層走線，保持該金屬層走線連接該缺陷點與相鄰的同色子像素的部分連通。
5.如權利要求4所述的OLED像素結構的修復方法，其特征在于，所述金屬層走線通過源漏極金屬層制作。
6.如權利要求4所述的OLED像素結構的修復方法，其特征在于，該OLED像素結構為頂發射OLED像素結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
