[發明專利]OLED顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201710745221.5 | 申請日: | 2017-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN107331692B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 唐甲;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種OLED顯示面板及其制作方法。本發明的OLED顯示面板,其OLED背板和封裝蓋板之間在對應于像素間隔區域的上方設有光線遮擋層,以遮擋像素的側向漏光,從而可以將每一頂發射型OLED發出的光線限定在其所對應的像素內發射,進而有效避免了像素側向漏光和混色問題的發生。本發明的OLED顯示面板的制作方法,通過在對應于像素間隔區域上方于OLED背板和封裝蓋板之間設置光線遮擋層,以遮擋像素的側向漏光,從而可以將每一頂發射型OLED發出的光線限定在其所對應的像素內發射,進而有效避免了像素側向漏光和混色問題的發生。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)顯示器具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、寬視角、使用溫度范圍廣,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。目前應用OLED的產品主要分布在小尺寸的手機、平板電腦(Pad)和較大尺寸的電視(TV)屏幕等。
OLED具有依次形成于基板上的陽極、有機發光材料層和陰極。在大尺寸OLED顯示器的應用方向,市面上的產品大多采用底發射型(Bottom emission)結構,將OLED的陰極采用較厚的金屬層,采用該結構的OLED顯示面板,有機發光材料層發出的光線需要穿透其下方的平坦層(PLN)層及薄膜晶體管(TFT)層,從而降低了發光效率,因此,隨著分辨率的增長,底發射型OLED會受到開口率的限制,難以實現高分辨率,越來越多的從業者將精力轉向頂發射型(Top emission)OLED的開發,以提高發光效率并實現高分辨率的顯示。
但是對于全彩顯示的頂發射型OLED顯示面板來說,如圖1所示,由于每一像素(pixel)的OLED11并非僅是垂直地射向蓋板20,而是類似于輻射的方式在OLED背板10上方發射光線,又由于蓋板20和OLED背板10在各像素之間不設置遮擋物,那么這就很容易導致本像素的OLED11發出的光線射到另一像素的區域內而產生像素側向漏光的問題,進而在各像素之間即圖中圓圈標示處產生混色的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED顯示面板,其OLED背板和封裝蓋板之間在對應于像素間隔區域上方設有光線遮擋層,從而可以將每一頂發射型OLED發出的光線限定在其所對應的像素內發射,進而有效避免了像素側向漏光和混色問題的發生。
本發明的目的還在于提供一種OLED顯示面板的制作方法,通過在對應于像素間隔區域上方于OLED背板和封裝蓋板之間設置光線遮擋層,從而可以將每一頂發射型OLED發出的光線限定在其所對應的像素內發射,進而有效避免了像素側向漏光和混色問題的發生。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED顯示面板,包括相對設置的OLED背板和封裝蓋板及設于所述封裝蓋板靠近OLED背板的一側上的光線遮擋層;
所述OLED背板包括TFT陣列基板及設于所述TFT陣列基板上陣列排布的多個頂發射型OLED;
所述OLED背板具有像素間隔區域及由所述像素間隔區域間隔出的與所述多個頂發射型OLED一一對應的多個像素發光區域;
所述光線遮擋層位于所述OLED背板和封裝蓋板之間并對應抵靠在所述OLED背板的像素間隔區域上。
所述光線遮擋層為有機光阻材料或無機材料。
每一所述頂發射型OLED包括由下至上依次層疊設于所述TFT陣列基板上的陽極、有機發光材料層及透明陰極。
所述OLED背板還包括設于TFT陣列基板和陽極上的像素定義層,所述像素定義層具有暴露出部分陽極的過孔,每一所述頂發射型OLED的有機發光材料層對應設置于一所述過孔內;所述OLED背板對應于所述像素定義層的區域為像素間隔區域,對應于所述過孔的區域為像素發光區域;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





