[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710745221.5 | 申請日： | 2017-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN107331692B | 公開（公告）日： | 2019-09-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 唐甲;任章淳 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括相對設置的OLED背板(100)和封裝蓋板(200)及設于所述封裝蓋板(200)靠近OLED背板(100)一側上的光線遮擋層(300)；
所述OLED背板(100)包括TFT陣列基板(110)及設于所述TFT陣列基板(110)上陣列排布的多個頂發(fā)射型OLED(120)；
所述OLED背板(100)具有像素間隔區(qū)域及由所述像素間隔區(qū)域間隔出的與所述多個頂發(fā)射型OLED(120)一一對應的多個像素發(fā)光區(qū)域；
所述光線遮擋層(300)位于所述OLED背板(100)和封裝蓋板(200)之間并對應抵靠在所述OLED背板(100)的像素間隔區(qū)域上；
每一所述頂發(fā)射型OLED(120)包括由下至上依次層疊設于所述TFT陣列基板(110)上的陽極(121)、有機發(fā)光材料層(122)及透明陰極(123)；
所述OLED背板(100)還包括設于TFT陣列基板(110)和陽極(121)上的像素定義層(130)，所述像素定義層(130)具有暴露出部分陽極(121)的過孔(131)，每一所述頂發(fā)射型OLED(120)的有機發(fā)光材料層(122)對應設置于一所述過孔(131)內；
所述OLED背板(100)對應于所述像素定義層(130)的區(qū)域為像素間隔區(qū)域，對應于所述過孔(131)的區(qū)域為像素發(fā)光區(qū)域；
所述光線遮擋層(300)對應設置于所述像素定義層(130)的上方。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述光線遮擋層(300)為有機光阻材料或無機材料。
3.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有機發(fā)光材料層(122)的材料為有機蒸鍍材料或噴墨打印材料。
4.一種OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1、提供一TFT基板(110)，在所述TFT基板(110)上形成陣列排布的多個頂發(fā)射型OLED(120)，得到OLED背板(100)；所述OLED背板(100)具有像素間隔區(qū)域及由所述像素間隔區(qū)域間隔出的與所述多個頂發(fā)射型OLED(120)一一對應的多個像素發(fā)光區(qū)域；
步驟S2、提供一封裝蓋板(200)，在所述封裝蓋板(200)上對應所述OLED背板(100)的像素間隔區(qū)域制作光線遮擋層(300)；
步驟S3、使制作在封裝蓋板(200)上的光線遮擋層(300)朝向所述OLED背板(100)，對組所述封裝蓋板(200)與OLED背板(100)并進行封裝，使得所述光線遮擋層(300)對應抵靠在所述OLED背板(100)的像素間隔區(qū)域上；
所述步驟S1中，每一所述頂發(fā)射型OLED(120)包括由下至上依次層疊設于所述TFT陣列基板(110)上的陽極(121)、有機發(fā)光材料層(122)及透明陰極(123)；
所述步驟S1中，還包括在TFT陣列基板(110)和陽極(121)上制作像素定義層(130)，所述像素定義層(130)具有暴露出部分陽極(121)的過孔(131)，每一所述頂發(fā)射型OLED(120)的有機發(fā)光材料層(122)對應設置于一所述過孔(131)內；
所述OLED背板(100)對應于所述像素定義層(130)的區(qū)域為像素間隔區(qū)域，對應于所述過孔(131)的區(qū)域為像素發(fā)光區(qū)域；
所述步驟S3中，所述光線遮擋層(300)對應設置于所述像素定義層(130)的上方。
5.如權利要求4所述的OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述光線遮擋層(300)為有機光阻材料，所述光線遮擋層(300)通過黃光制程制得；或者，
所述光線遮擋層(300)為無機材料，所述光線遮擋層(300)通過依次進行的成膜制程、黃光制程及蝕刻制程制得；
其中，所述黃光制程包括依次進行的光阻涂布步驟、曝光步驟及顯影步驟；
所述成膜制程采用化學氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝；
所述蝕刻制程采用干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝。
6.如權利要求4所述的OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述有機發(fā)光材料層(122)的材料為有機蒸鍍材料，所述有機發(fā)光材料層(122)通過蒸鍍工藝形成；或者，
所述有機發(fā)光材料層(122)的材料為噴墨打印材料，所述有機發(fā)光材料層(122)通過噴墨打印工藝形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
