[發明專利]主動陣列開關基板及其顯示面板

有效

• 申請號: 201710744122.5
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN107527926B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/24;H01L29/06;B82Y30/00
• 代理公司: 11228 北京匯澤知識產權代理有限公司
• 代理人: 亓贏

本發明提供一種主動陣列開關基板及其顯示面板，主動陣列開關基板包括：基板，多個主動開關，形成于基板上，主動開關包括：柵極電極結構；絕緣保護層，形成于所述柵極電極結構上；有源層，形成于所述絕緣保護層上；源極電極層，形成于所述有源層的一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；漏極電極層，形成于所述有源層的另一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；第一濃度摻雜層，形成于所述有源層上、與所述源極電極層及所述漏極電極層之間；鈍化層，覆蓋于所述有源層、所述源極電極層與所述漏極電極層上；以及像素電極層，覆蓋于所述鈍化層與所述漏極電極層上。其可提高有源層載流子遷移率，并降低主動陣列開關基板的漏電流。

技術領域

本發明涉及一種主動陣列開關基板及其顯示面板，特別是涉及一種采用硅鍺氧化物納米晶體(Si_xGe_yO_z)作為有源層的填充材料的主動陣列開關陣列基板。

背景技術

TFT(Thin Film Transistor)為薄膜晶體管陣列基板，在液晶顯示面板里用來控制顯示面板的顯像，是不可或缺的主要組件。

薄膜晶體管陣列基板，其配置有源極電極與漏極電極。當左側的源極電極上的電流要流通到在右側的漏極電極時，中間必須穿越在有源層上方所形成的有源層通道。當位于有源層下方的柵極電極施加驅動電壓時，在有源層會產生一誘導電場，用來控制有源層通道的開通與否，此即為薄膜晶體管陣列基板的工作原理。

上述的薄膜晶體管陣列基板是制作在玻璃基板上，此種工藝需要有物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)等半導體制程設備的投入。當使用等離子體輔助化學氣相沉積機臺來沉積薄膜晶體管陣列基板的鈍化層時，在薄膜晶體管陣列基板上方最重要的有源層通道因采用非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)使得電子穿越信道的電子遷移速率(Mobility)不是太小(小于1cm²/V.s)就是過大(可達200cm²/V.s)，進而導致薄膜晶體管陣列基板整體的組件特性無法滿足需求，此一問題有待制程技術上的克服。

發明內容

本發明的目的即在于提供一種主動陣列開關基板，包括：一基板；多個主動開關，所述主動開關形成于所述基板上，每一所述主動開關包括：一柵極電極結構；一絕緣保護層，形成于所述柵極電極結構上；一有源層，形成于所述絕緣保護層上，其中，所述有源層填充有硅鍺氧化物，所述硅鍺氧化物的納米晶體顆粒大小為1～20納米；一源極電極層，形成于所述有源層的一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；一漏極電極層，形成于所述有源層的另一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；一第一濃度摻雜層，形成于所述有源層上，與所述源極電極層及所述漏極電極層之間；一鈍化層，覆蓋于所述有源層、所述源極電極層與所述漏極電極層上；以及一像素電極層，覆蓋于所述鈍化層與所述漏極電極層上。

在本發明的實施例中，另包括一第二濃度摻雜層形成于所述第一濃度摻雜層與有源層之間，其中第一濃度摻雜層的濃度大于第二濃度摻雜層的濃度。

本發明的又一目的即在于提供一種主動陣列開關基板，包括：一基板，多個主動開關，所述主動開關形成于所述基板上，每一所述主動開關包括：一柵極電極結構；一絕緣保護層，形成于所述柵極電極結構上；一有源層，形成于所述絕緣保護層上，其中，所述有源層填充有硅鍺氧化物；一源極電極層，形成于所述有源層的一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；一漏極電極層，形成于所述有源層的另一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；多層摻雜層，形成于所述有源層上，與所述源極電極層與所述漏極電極層之間；一鈍化層，覆蓋于所述絕緣保護層、所述源極電極層與所述漏極電極層上；以及一像素電極層，覆蓋于所述鈍化層與所述漏極電極層上。其中，所述多層摻雜層包括第一濃度摻雜層和第二濃度摻雜層，且所述第一濃度摻雜層和所述第二濃度摻雜層的摻雜濃度為不同；其中，所述有源層形成于所述絕緣保護層、所述鈍化層、所述源極電極層與所述漏極電極層之間。

在本發明的實施例中，所述硅鍺氧化物的納米晶體顆粒大小為1～20納米。