[發明專利]主動陣列開關基板及其顯示面板

有效

• 申請號: 201710744122.5
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN107527926B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/24;H01L29/06;B82Y30/00
• 代理公司: 11228 北京匯澤知識產權代理有限公司
• 代理人: 亓贏

1.一種主動陣列開關基板，其特征在于，包括：

一基板；

多個主動開關，所述主動開關形成于所述基板上，每一所述主動開關包括：

一柵極電極結構；

一絕緣保護層，形成于所述柵極電極結構上；

一有源層，形成于所述絕緣保護層上，其中所述有源層填充有硅鍺氧化物，所述硅鍺氧化物的納米晶體顆粒大小為1～20納米；

一源極電極層，形成于所述有源層的一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；

一漏極電極層，形成于所述有源層的另一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；

一第一濃度摻雜層，形成于所述有源層上，與所述源極電極層及所述漏極電極層之間；

一鈍化層，覆蓋于所述有源層、所述源極電極層與所述漏極電極層上；以及

一像素電極層，覆蓋于所述鈍化層與所述漏極電極層上。

2.如權利要求1所述的主動陣列開關基板，其特征在于，另包括一第二濃度摻雜層形成于所述第一濃度摻雜層與有源層之間，其中第一濃度摻雜層的濃度大于第二濃度摻雜層的濃度。

3.一種主動陣列開關基板，其特征在于，包括：

一基板；

多個主動開關，所述主動開關形成于所述基板上，每一所述主動開關包括：

一柵極電極結構；

一絕緣保護層，形成于所述柵極電極結構上；

一有源層，形成于所述絕緣保護層上，其中，所述有源層填充有硅鍺氧化物；

一源極電極層，形成于所述有源層的一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；

一漏極電極層，形成于所述有源層的另一側上，與所述有源層形成歐姆接觸；

多層摻雜層，形成于所述有源層上，與所述源極電極層與所述漏極電極層之間；

一鈍化層，覆蓋于所述絕緣保護層、所述源極電極層與所述漏極電極層上；以及

一像素電極層，覆蓋于所述鈍化層與所述漏極電極層上；

其中，所述多層摻雜層包括第一濃度摻雜層和第二濃度摻雜層，且所述第一濃度摻雜層和所述第二濃度摻雜層的摻雜濃度為不同；

其中，所述有源層形成于所述絕緣保護層、所述鈍化層、所述源極電極層與所述漏極電極層之間。

4.如權利要求3所述的主動陣列開關基板，其特征在于，所述硅鍺氧化物的納米晶體顆粒大小為1～20納米。

5.如權利要求3所述的主動陣列開關基板，所述鈍化層的材料為氮化硅或氧化硅。

6.如權利要求3所述的主動陣列開關基板，其特征在于，所述多層摻雜層為兩層或三層結構的摻雜層。

7.如權利要求6所述的主動陣列開關基板，其特征在于，所述多層摻雜層包括疊置的第一濃度摻雜層，第二濃度摻雜層和第一濃度摻雜層，其中第一濃度摻雜層的濃度大于第二濃度摻雜層的濃度。

8.如權利要求6所述的主動陣列開關基板，其特征在于，所述多層摻雜層包括疊置的第二濃度摻雜層，第一濃度摻雜層和第二濃度摻雜層，其中第一濃度摻雜層的濃度大于第二濃度摻雜層的濃度。

9.如權利要求6所述的主動陣列開關基板，其特征在于，所述多層摻雜層包括疊置的第二濃度摻雜層和第一濃度摻雜層，其中第一濃度摻雜層的濃度大于第二濃度摻雜層的濃度。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括：

一彩膜基板；以及

如權利要求1至9中任一所述的主動陣列開關基板。