[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、電致發(fā)光器件、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710744039.8 | 申請日: | 2017-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN109427845B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孔超;鄭克寧 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 電致發(fā)光 器件 顯示裝置 | ||
一種顯示面板及其制作方法、電致發(fā)光器件、顯示裝置。該顯示面板包括:襯底基板;多個電致發(fā)光單元,位于襯底基板上,電致發(fā)光單元的出光側包括透明電極層;以及第一光耦合輸出層,位于電致發(fā)光單元設置透明電極層的一側,且與至少部分透明電極層接觸,第一光耦合輸出層為導電層。該顯示面板的第一光耦合輸出層具有較好的導電特性,可以輔助透明電極層導電,從而降低顯示面板的電壓降(IR?drop),增加器件的均一性。
技術領域
本公開至少一個實施例涉及一種顯示面板及其制作方法、電致發(fā)光器件、顯示裝置。
背景技術
目前,有機發(fā)光二極管(OLED)在照明和顯示等領域的應用越來越廣泛。與傳統的陰極射線管顯示器(CRT)、等離子體顯示器(PDP)、液晶顯示器(LCD)等不同,OLED具有自主發(fā)光、可彎曲、寬視角、響應速度快、超輕薄、發(fā)光效率高、功耗低、工作溫度寬等特點,被認為是更有應用前景的新一代顯示器。
發(fā)明內容
本公開的至少一實施例提供一種顯示面板及其制作方法、電致發(fā)光器件、顯示裝置。該顯示面板包括的第一光耦合輸出層具有較好的導電特性,可以輔助透明電極層導電,從而降低顯示面板的電壓降(IR-drop),增加器件的均一性。
本公開的至少一實施例提供一種顯示面板,包括:襯底基板;多個電致發(fā)光單元,位于襯底基板上,電致發(fā)光單元的出光側包括透明電極層;以及第一光耦合輸出層,位于電致發(fā)光單元設置透明電極層的一側,且與至少部分透明電極層接觸,第一光耦合輸出層為導電層。
例如,第一光耦合輸出層為包括第一n型摻雜材料或第一p型摻雜材料的半導體層。
例如,透明電極層的厚度為
例如,第一光耦合輸出層位于電致發(fā)光單元遠離襯底基板的一側。
例如,多個電致發(fā)光單元呈陣列排布,第一光耦合輸出層為覆蓋多個電致發(fā)光單元的整面膜層。
例如,顯示面板還包括:第二光耦合輸出層,位于第一光耦合輸出層遠離透明電極層的一側,且第二光耦合輸出層的折射率小于第一光耦合輸出層的折射率。
例如,第二光耦合輸出層為包括第二n型摻雜材料或第二p型摻雜材料的半導體層,且與透明電極層部分接觸。
例如,顯示面板還包括:第二光耦合輸出層,位于第一光耦合輸出層與透明電極層之間,且第二光耦合輸出層的折射率大于第一光耦合輸出層的折射率。
例如,電致發(fā)光單元為有機電致發(fā)光單元。
本公開的至少一實施例提供一種電致發(fā)光器件,包括:襯底基板;發(fā)光層,位于襯底基板上;透明電極層,位于發(fā)光層的出光側;以及光耦合輸出層,位于透明電極層遠離發(fā)光層的一側,且與透明電極層接觸,并且,光耦合輸出層為導電層。
本公開的至少一實施例提供一種顯示面板的制作方法,包括:提供襯底基板;在襯底基板上形成多個電致發(fā)光單元,形成電致發(fā)光單元包括:在電致發(fā)光單元的出光側形成透明電極層;在電致發(fā)光單元的形成有透明電極層的一側形成與至少部分透明電極層接觸的第一光耦合輸出層,并且,第一光耦合輸出層為導電層。
例如,形成第一光耦合輸出層包括:在透明電極層遠離電致發(fā)光單元的一側蒸鍍第一主體材料以及第一n型摻雜材料或者第一p型摻雜材料以形成第一光耦合輸出層。
例如,第一光耦合輸出層形成在電致發(fā)光單元遠離襯底基板的一側。
例如,顯示面板的制作方法還包括:在第一光耦合輸出層遠離透明電極層的一側形成第二光耦合輸出層,其中,第二光耦合輸出層的折射率小于第一光耦合輸出層的折射率。
例如,形成第二光耦合輸出層包括:在第一光耦合輸出層遠離透明電極層的一側蒸鍍第二主體材料以及第二n型摻雜材料或第二p型摻雜材料以形成第二光耦合輸出層,且第二光耦合輸出層與透明電極層部分接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





