[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、電致發(fā)光器件、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710744039.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109427845B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孔超;鄭克寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 電致發(fā)光 器件 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括:
襯底基板;
多個(gè)電致發(fā)光單元,位于所述襯底基板上,所述電致發(fā)光單元包括位于襯底基板上的發(fā)光層,位于發(fā)光層的出光側(cè)的透明電極層,位于發(fā)光層和襯底基板之間的空穴傳輸層以及位于發(fā)光層和透明電極層之間的電子傳輸層;以及
第一光耦合輸出層,位于所述電致發(fā)光單元設(shè)置所述透明電極層的一側(cè),且與至少部分所述透明電極層接觸,
第二光耦合輸出層,位于第一光耦合輸出層上,其中,所述第一光耦合輸出層為導(dǎo)電層,第一光耦合輸出層與透明電極層共形,所述第一光耦合輸出層為包括第一n型摻雜材料或第一p型摻雜材料的半導(dǎo)體層,第二光耦合輸出層為包括第二n型摻雜材料或第二p型摻雜材料的半導(dǎo)體層,第一光耦合輸出層與第二光耦和輸出層的折射率和電導(dǎo)率均不同,其中,在第一光耦合輸出層包括第一n型摻雜材料的情況下,第一光耦合輸出層為與電子傳輸層相同的材料,或者在第一光耦合輸出層的材料包括第一p型摻雜材料的情況下,第一光耦合輸出層為與空穴傳輸層相同的材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述透明電極層的厚度為
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述第一光耦合輸出層位于所述電致發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述多個(gè)電致發(fā)光單元呈陣列排布,所述第一光耦合輸出層為覆蓋所述多個(gè)電致發(fā)光單元的整面膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中
第二光耦合輸出層位于所述第一光耦合輸出層遠(yuǎn)離所述透明電極層的一側(cè),且所述第二光耦合輸出層的折射率小于所述第一光耦合輸出層的折射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其中,所述第二光耦合輸出層與所述透明電極層部分接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中
第二光耦合輸出層位于所述第一光耦合輸出層與所述透明電極層之間,且所述第二光耦合輸出層的折射率大于所述第一光耦合輸出層的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的顯示面板,其中,所述電致發(fā)光單元為有機(jī)電致發(fā)光單元。
9.一種電致發(fā)光器件,包括:
襯底基板;
發(fā)光層,位于所述襯底基板上;
透明電極層,位于所述發(fā)光層的出光側(cè);以及
光耦合輸出層,位于所述透明電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光層的一側(cè),且與所述透明電極層接觸,
第二光耦合輸出層,位于第一光耦合輸出層上,
空穴傳輸層,位于發(fā)光層和襯底基板之間,
電子傳輸層,位于發(fā)光層和透明電極層之間,
其中,所述光耦合輸出層為導(dǎo)電層,第一光耦合輸出層與透明電極層共形,所述第一光耦合輸出層為包括第一n型摻雜材料或第一p型摻雜材料的半導(dǎo)體層,第二光耦合輸出層為包括第二n型摻雜材料或第二p型摻雜材料的半導(dǎo)體層,第一光耦合輸出層與第二光耦和輸出層的折射率和電導(dǎo)率均不同,其中,在第一光耦合輸出層包括第一n型摻雜材料的情況下,第一光耦合輸出層為與電子傳輸層相同的材料,或者在第一光耦合輸出層的材料包括第一p型摻雜材料的情況下,第一光耦合輸出層為與空穴傳輸層相同的材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





