[發(fā)明專利]一種用于加工太陽能硅片的燒結(jié)、抗光衰一體機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710742885.6
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN107768480B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉品德;朱速鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州南北深科智能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;吳雯玨

本發(fā)明涉及一種用于加工太陽能硅片的燒結(jié)、抗光衰一體機(jī)，包括燒結(jié)爐和抗光衰爐，燒結(jié)爐包括烘干段、燒結(jié)段以及冷卻段，烘干段處設(shè)有一燃燒塔，燃燒塔包括一燃燒箱體，其內(nèi)部空間由隔熱墻依次分隔為第一燃燒區(qū)、過渡區(qū)、第二燃燒區(qū)以及冷卻區(qū)。燒結(jié)段包括燒結(jié)爐腔，在該燒結(jié)爐腔的一端頂部設(shè)有第一排廢口、另一端頂部設(shè)有第二排廢口以及中部頂端設(shè)有第三排廢口；針對第一排廢口設(shè)有第一有機(jī)回收裝置，針對第二排廢口設(shè)有第二有機(jī)回收裝置，針對第三排廢口設(shè)有第三有機(jī)回收裝置。抗光衰爐包括一光源箱箱體，光源箱箱體內(nèi)設(shè)有光源，光源采用LED燈陣列布置，在光源箱箱體內(nèi)設(shè)有冷卻裝置，冷卻裝置包括風(fēng)冷冷卻結(jié)構(gòu)和水冷冷卻結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太陽能硅片的制備設(shè)備，具體涉及一種用于加工太陽能硅片的燒結(jié)、抗光衰一體機(jī)。

背景技術(shù)

眾所周知，在晶體硅太陽能電池硅片的生產(chǎn)中，當(dāng)硅片印刷之后，需要將帶有漿料的硅片通過燒結(jié)爐烘干燒結(jié)，然后再通過抗光衰爐激活硅片的抗光衰能力。其中，燒結(jié)爐通常包括烘干區(qū)、燒結(jié)區(qū)以及冷卻區(qū)。抗光衰爐通常包括光源箱、傳送裝置以及加熱裝置，光源箱體上設(shè)置有燈管、冷凝器以及離心風(fēng)機(jī)。

其中，在燒結(jié)爐中，由于對帶銀漿的硅片進(jìn)行烘干，此時(shí)產(chǎn)生的有機(jī)廢氣較多，為了提高排廢效率，以往的燒結(jié)爐在烘干區(qū)設(shè)置有機(jī)排廢風(fēng)管，將有機(jī)廢氣從有機(jī)排廢風(fēng)管中排出。

為了將烘干段的有機(jī)廢氣及時(shí)消除，現(xiàn)有市場上出現(xiàn)將烘干段有機(jī)廢氣吸收并燃燒的燃燒塔，但是這種燃燒塔存在以下缺點(diǎn)：1、現(xiàn)有燃燒塔采用直通式，容易導(dǎo)致有機(jī)廢氣在燃燒塔中燃燒不充分，使得排至外界的氣體中仍然殘留有機(jī)廢氣，甚至存在未經(jīng)燃燒完全的有毒氣體（例如CO）排至燃燒塔外，最終污染環(huán)境；2、現(xiàn)有燃燒塔采用直通式，為了盡量燃燒充分，需要將燃燒塔設(shè)置較高，但是又因?yàn)閺S房樓層較低，使得燃燒塔的高度受室內(nèi)空間高度的限制，直接導(dǎo)致燃燒塔內(nèi)的燃燒程度受室內(nèi)空間高度限制。綜上，由此看來，現(xiàn)有的燃燒塔具有燃燒不充分、占地空間大、以及燃燒塔燃燒率和燃燒塔空間高度之間存在矛盾的致命缺點(diǎn)，即若要提高燃燒率，就需要加長燃燒塔高度，若要縮短燃燒塔高度，就只能降低燃燒率。

據(jù)發(fā)明人了解，在燒結(jié)過程中，燒結(jié)段中大約有90%的有機(jī)廢氣能夠從兩端的排廢口排出，但仍然有剩余的10%無法抵達(dá)兩端并排出，如果中部產(chǎn)生的有機(jī)物廢氣抵達(dá)不了兩端，就會(huì)產(chǎn)生有機(jī)廢物覆在燒結(jié)爐的爐腔中，爐腔積有機(jī)廢物必然對燒結(jié)的硅片產(chǎn)生污染。

另外，在抗光衰過程中，現(xiàn)有抗光衰爐包括上爐膽、下爐膽、光源箱、傳送裝置以及加熱裝置，光源箱體上設(shè)置有光源、冷凝器以及離心風(fēng)機(jī)，冷凝器的一端與光源箱體內(nèi)部相通，另一端與離心風(fēng)機(jī)相通。現(xiàn)有技術(shù)光源強(qiáng)度不夠，溫度缺過高，雖然光源箱體內(nèi)部設(shè)有冷卻裝置，即采用冷凝器，但是這種冷卻方式通常是在銅管中輸送冷卻水對光源進(jìn)行冷卻，但是由于銅管的銅管壁很薄，且在銅管拐彎處采用焊接連接，因此容易發(fā)生泄漏，如果將冷凝器靠近光源設(shè)置，容易因泄漏導(dǎo)致元器件漏電，因此只能將冷凝器設(shè)置在離光源較遠(yuǎn)位置，這種冷卻方式效果不理想，帶走的熱量有限，導(dǎo)致光源箱內(nèi)高溫積蓄，造成硅片通過通道處的溫度過高，不僅無法達(dá)到光源箱內(nèi)所需的溫度條件，而且還對元器件有損壞。

另外，目前市場上還未出現(xiàn)過將燒結(jié)爐和抗光衰爐設(shè)置成一整機(jī)的結(jié)構(gòu)，因?yàn)闊Y(jié)爐和抗光衰爐分開設(shè)置，分開加工，從而導(dǎo)致加工工序長，加工設(shè)備長度過長、占地面積較大。

因此，提供一種用于加工太陽能硅片的燒結(jié)、抗光衰一體機(jī)是本發(fā)明所要研究的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是提供一種用于加工太陽能硅片的燒結(jié)、抗光衰一體機(jī)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中燒結(jié)爐中的燃燒塔有機(jī)廢氣燃燒不充分、燃燒塔占地空間大、燒結(jié)段排廢不及時(shí)，導(dǎo)致有機(jī)廢物堆積污染硅片的問題；以及抗光衰爐中冷卻裝置冷卻效果差等問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種用于加工太陽能硅片的燒結(jié)、抗光衰一體機(jī)，包括傳輸網(wǎng)鏈、燒結(jié)爐以及抗光衰爐，所述燒結(jié)爐和抗光衰爐由傳輸網(wǎng)鏈串聯(lián)連接；