[發(fā)明專利]具有低介電常數(shù)間隔物的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710741292.8 | 申請日： | 2017-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN108231875A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王祥保;盧一斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 側(cè)壁間隔物 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體鰭片 對置側(cè)壁 低介電常數(shù) 多晶硅條 金屬柵極 氮化物 間隔物 包圍 低介電常數(shù)電介質(zhì) 制造 半導(dǎo)體裝置 蝕刻停止層 半導(dǎo)體鰭 漏極區(qū)域 碳氮化物 錐形輪廓 起源 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：
半導(dǎo)體鰭片；
金屬柵極，其位于所述半導(dǎo)體鰭片上方；及
側(cè)壁間隔物，其是由包圍所述金屬柵極的對置側(cè)壁的低介電常數(shù)電介質(zhì)組成；
其中所述側(cè)壁間隔物的一部分包括錐形輪廓，所述錐形輪廓具有朝向頂部部分的所述對置側(cè)壁的較大間距，及朝向所述側(cè)壁間隔物的底部部分的所述對置側(cè)壁的較窄間距。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
