[發(fā)明專(zhuān)利]一種扇出型封裝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710740477.7
• 申請(qǐng)日: 2017-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107611043A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞國(guó)慶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L21/60;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種扇出型封裝方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，芯片的尺寸越來(lái)越小，芯片表面的I/O(輸入/輸出)引腳密度也越來(lái)越高，扇出型封裝應(yīng)運(yùn)而生，扇出型封裝將芯片高密度的I/O引腳扇出為低密度的封裝引腳。

目前，現(xiàn)有的扇出型封裝方法包括如下流程：提供載板，在載板上貼附一層雙面膠膜，將芯片的正面貼附在膠膜上，將芯片進(jìn)行塑封后，剝離膠膜和載板，在芯片的正面形成再布線(xiàn)層、植球、切割。

本發(fā)明的發(fā)明人在長(zhǎng)期研究過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，上述扇出型封裝方法中由于采用了膠膜，在芯片塑封時(shí)溫度變化使得膠膜發(fā)生伸縮、塑封時(shí)由于塑封材料、芯片和載板的熱膨脹系數(shù)(CTE)不同發(fā)生翹曲等情況，導(dǎo)致芯片在塑封時(shí)產(chǎn)生偏移。芯片的偏移導(dǎo)致后續(xù)制程如光刻對(duì)位發(fā)生困難。；另外，用上述扇出型封裝方法制備的再布線(xiàn)層在窄線(xiàn)寬/線(xiàn)距上都受到一定限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種扇出型封裝方法，能夠防止芯片發(fā)生偏移；同時(shí)可使再布線(xiàn)層的線(xiàn)寬和線(xiàn)距更窄。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種扇出型封裝方法，所述方法包括：提供封裝基板，所述封裝基板包括硅晶圓基層、焊盤(pán)及第一再布線(xiàn)層，所述焊盤(pán)設(shè)置于所述硅晶圓基層一側(cè)，所述第一再布線(xiàn)層設(shè)置于所述硅晶圓基層的另一側(cè)，其中，所述焊盤(pán)和所述第一再布線(xiàn)層電連接；將芯片與所述封裝基板的所述焊盤(pán)電連接。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明所采用的扇出型封裝方法中的封裝基板包括硅晶圓基層、焊盤(pán)及第一再布線(xiàn)層，焊盤(pán)和第一再布線(xiàn)層分別位于硅晶圓基層的兩側(cè)，焊盤(pán)與第一再布線(xiàn)層電連接，芯片與焊盤(pán)電連接；一方面，封裝基板包括焊盤(pán)，芯片與封裝基板的焊盤(pán)電連接，從而避免采用膠膜的封裝方法導(dǎo)致的芯片在塑封時(shí)溫度變化導(dǎo)致的膠膜伸縮、塑封時(shí)由于塑封材料、芯片和載板的熱膨脹系數(shù)(CTE)不同發(fā)生翹曲等情況，導(dǎo)致芯片在塑封時(shí)產(chǎn)生偏移的情況；另一方面，封裝基板包括硅晶圓基層，硅晶圓基層的導(dǎo)熱性較好，從而有利于扇出型封裝器件的散熱；再一方面，封裝基板的焊盤(pán)與第一再布線(xiàn)層位于硅晶圓基層的相對(duì)兩側(cè)，為后續(xù)提供雙面有焊球結(jié)構(gòu)的扇出型封裝結(jié)構(gòu)提供技術(shù)支持；又一方面，本發(fā)明所提供的扇形封裝方法為先做再布線(xiàn)層再在再布線(xiàn)層上制備芯片，該方法比先做芯片再在芯片上進(jìn)行再布線(xiàn)的方法的再布線(xiàn)層的線(xiàn)寬和線(xiàn)距更窄。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明扇出型封裝方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖2是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域晶圓一實(shí)施方式的俯視圖；

圖3是硅晶圓基層設(shè)置硅通孔一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明扇出型封裝方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖5是圖4中步驟S201-S206對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖4中步驟S207-S217對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖4中步驟S207對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是圖4中步驟S217對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明扇出型封裝方法另一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖10是圖9中步驟S301-S309對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是圖9中步驟S307對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明扇出型封裝方法另一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖13是圖12中步驟S407-S422對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14是圖12中步驟S412對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15是圖12中步驟S422對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16是本發(fā)明扇出型封裝方法另一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖17是圖16中步驟S507-S519對(duì)應(yīng)的扇出型封裝器件一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18是本發(fā)明扇出型封裝器件一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19是本發(fā)明扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖20是本發(fā)明扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖21是本發(fā)明扇出型封裝器件另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明扇出型封裝方法一實(shí)施方式的流程示意圖，該方法包括：