[發(fā)明專利]一種扇出型封裝方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710740477.7
• 申請(qǐng)日: 2017-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107611043A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞國(guó)慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/60;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種扇出型封裝方法，其特征在于，所述方法包括：

提供封裝基板，所述封裝基板包括硅晶圓基層、焊盤及第一再布線層，所述焊盤設(shè)置于所述硅晶圓基層一側(cè)，所述第一再布線層設(shè)置于所述硅晶圓基層的另一側(cè)，其中，所述焊盤和所述第一再布線層電連接；

將芯片與所述封裝基板的所述焊盤電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供封裝基板包括：

提供設(shè)有所述焊盤的所述硅晶圓基層；

在所述硅晶圓基層相對(duì)設(shè)置的兩側(cè)分別形成所述第一再布線層、第二再布線層，所述第二再布線層形成于所述焊盤之上且電連接所述焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一再布線層之前包括：

設(shè)置所述硅晶圓基層的狀態(tài)使其具有所述焊盤的一側(cè)位于下方；

在所述硅晶圓基層的背對(duì)所述焊盤的位置形成硅通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

所述在在所述硅晶圓基層的背對(duì)所述焊盤的位置形成硅通孔之前包括：研磨所述硅晶圓基層背對(duì)所述焊盤的一側(cè)，以使得所述硅晶圓基層的厚度小于或等于預(yù)定厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

所述提供封裝基板包括：在所述硅晶圓基層背對(duì)所述焊盤的一側(cè)貼合加強(qiáng)板；

所述在在所述硅晶圓基層的背對(duì)所述焊盤的位置形成硅通孔之前包括：撤去所述加強(qiáng)板。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，

所述將芯片與所述封裝基板的所述焊盤電連接包括：所述芯片表面設(shè)置有金屬凸點(diǎn)，將所述芯片的所述金屬凸點(diǎn)與所述第二再布線層回流焊接，以使得所述芯片與所述第二再布線層電連接，并通過(guò)所述第二再布線層與所述焊盤電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述將所述芯片與所述第二再布線層電連接之后包括：將所述芯片和所述硅晶圓基層的形成有所述第二再布線層一側(cè)進(jìn)行塑封。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述將所述芯片與所述第二再布線層電連接之前包括：提供載板，將所述硅晶圓基層的形成有所述第一再布線層的一側(cè)與所述載板連接；所述將所述芯片和所述硅晶圓基層的形成有所述第二再布線層一側(cè)進(jìn)行塑封之后還包括：去除所述載板。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圓基層形成所述第二再布線層，包括：

在所述硅晶圓基層設(shè)置有所述焊盤的一側(cè)形成第一鈍化層，并在所述第一鈍化層對(duì)應(yīng)所述焊盤的位置設(shè)置第一開(kāi)口；

在所述第一鈍化層背對(duì)所述硅晶圓基層的表面形成第一種子層；

在所述第一種子層背對(duì)所述硅晶圓基層的表面形成第一掩膜層，并在所述第一掩膜層對(duì)應(yīng)所述焊盤的位置設(shè)置第二開(kāi)口；

在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成所述第二再布線層；

去除所述第一掩膜層以及所述第二再布線層以外的第一種子層；

其中，所述焊盤、所述第一種子層、所述第二再布線層電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圓基層形成所述第二再布線層之后，包括：在所述第二再布線層背對(duì)所述硅晶圓基層的一側(cè)至少再形成一再布線層；

在所述第二再布線層背對(duì)所述硅晶圓基層的一側(cè)至少再形成一再布線層包括：

在所述第二再布線層背對(duì)所述硅晶圓基層的表面形成第一介電層，并在所述第一介電層上設(shè)置第三開(kāi)口；

在所述第一介電層背對(duì)所述硅晶圓基層的表面形成第二種子層；

在所述第二種子層背對(duì)所述硅晶圓基層的表面形成第二掩膜層，并在所述第二掩膜層設(shè)置第四開(kāi)口；

在所述第四開(kāi)口內(nèi)形成第三再布線層；

去除所述第二掩膜層以及所述第三再布線層以外的第二種子層；

其中，所述第二再布線層、所述第二種子層、所述第三再布線層電連接。