[發明專利]一種封裝基板的制備方法及封裝基板

在審

• 申請號: 201710740420.7
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107481940A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 俞國慶
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種封裝基板的制備方法及封裝基板。

背景技術

半導體封裝技術領域中常用到封裝基板，封裝基板可以為芯片提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效，以實現多引腳化，縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性等目的。目前，封裝基板正朝著高密度化的方向發展。

本發明的發明人在長期研究過程中發現，一般的封測企業難以實現封裝基板的制造，即使可以制造，其制造的封裝基板的再布線層在窄線寬/線距上都受到一定限制。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種封裝基板的制備方法及封裝基板，可使封裝基板的再布線層的線寬和線距更窄。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種封裝基板的制備方法，所述方法包括：提供玻璃基層，所述玻璃基層一側設置有焊盤；在玻璃基層背向所述焊盤的一側形成第一再布線層，其中，所述焊盤和所述第一再布線層電連接。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種封裝基板，所述封裝基板包括：玻璃基層、焊盤及第一再布線層，其中，所述焊盤設置于所述玻璃基層一側，所述第一再布線層設置于所述玻璃基層的另一側，所述焊盤和所述第一再布線層電連接。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明所采用的封裝基板的制備方法中焊盤和第一再布線層分別位于玻璃基層的兩側，焊盤與第一再布線層電連接；一方面，本發明所提供的封裝基板的焊盤與第一再布線層位于玻璃基層的相對兩側，為后續提供雙面有焊球結構的扇出型封裝結構提供技術支持；又一方面，本發明所提供的封裝基板預先制備好再布線層，后期將該封裝基板與芯片進行連接，該方法比先做芯片再在芯片上進行再布線的方法的再布線層的線寬和線距更窄。

附圖說明

圖1為本發明封裝基板的制備方法一實施方式的流程示意圖；

圖2為半導體封裝領域晶圓一實施方式的俯視圖；

圖3為玻璃基層上形成通孔一實施方式的結構示意圖；

圖4為本發明封裝基板的制備方法一實施方式的流程示意圖；

圖5為圖4中S201-S206對應的封裝基板一實施方式的結構示意圖；

圖6為圖4中S207-S212對應的封裝基板一實施方式的結構示意圖；

圖7為圖4中S207-S212對應的封裝基板另一實施方式的結構示意圖；

圖8為本發明封裝基板的制備方法另一實施方式的流程示意圖；

圖9圖8中S307-S317對應的封裝基板一實施方式的結構示意圖；

圖10為本發明封裝基板一實施方式的結構示意圖；

圖11為本發明封裝基板另一實施方式的結構示意圖；

圖12為本發明封裝基板又一實施方式的結構示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1，圖1為本發明封裝基板的制備方法一實施方式的流程示意圖，該方法包括：

S101：提供玻璃基層，玻璃基層一側設置有焊盤；

在一個應用場景中，玻璃基層可以直接設置有焊盤，如圖2所示，圖2為半導體封裝領域晶圓一實施方式的俯視圖。該晶圓10包括基層120和焊盤100，基層120設有正面及背面，焊盤100形成于基層120的正面，相對地，后續第一再布線層形成于基層120的背面；在本實施例中，基層120的材質為玻璃，由于玻璃具有絕緣性，因此可以簡化后續制備封裝基板的過程，例如，可以省略在玻璃基層上形成與其接觸的絕緣層(或掩膜層)的步驟。

S102：在玻璃基層背向焊盤的一側形成第一再布線層；其中，焊盤和第一再布線層電連接。

具體地，在一個應用場景中，上述制備方法還包括：在玻璃基層設置有焊盤一側形成第二再布線層，第二再布線層形成于焊盤之上且電連接焊盤，即在如圖2所示的基層120的正面的焊盤100上形成第二再布線層，在基層120的背面形成第一再布線層。