[發明專利]一種封裝基板的制備方法及封裝基板

在審

• 申請號: 201710740420.7
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107481940A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 俞國慶
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種封裝基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供玻璃基層，所述玻璃基層一側設置有焊盤；

在玻璃基層背向所述焊盤的一側形成第一再布線層，其中，所述焊盤和所述第一再布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述玻璃基層設置有所述焊盤一側形成第二再布線層，其中，所述第二再布線層與所述焊盤電連接。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一再布線層之前包括：

設置所述玻璃基層的狀態使其具有所述焊盤的一側位于下方；

在所述玻璃基層的背對所述焊盤的位置形成通孔。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基層的背對所述焊盤的位置形成通孔，包括：利用激光或者蝕刻或者光刻的方法，在所述玻璃基層的背對所述焊盤的位置形成通孔；其中，利用所述激光方法或者所述光刻方法形成的所述通孔的截面為矩形，利用所述蝕刻的方法形成的所述通孔的截面為弧形。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基層設置有所述焊盤一側形成第二再布線層，包括：

在所述玻璃基層設置有所述焊盤的一側形成第一鈍化層，并在所述第一鈍化層對應所述焊盤的位置設置第一開口；

在所述第一鈍化層背對所述玻璃基層的表面形成第一種子層；

在所述第一種子層背對所述玻璃基層的表面形成第一掩膜層，并在所述第一掩膜層對應所述焊盤的位置設置第二開口；

在所述第二開口內形成所述第二再布線層；

去除所述第一掩膜層以及所述第二再布線層以外的第一種子層；

其中，所述焊盤、所述第一種子層、所述第二再布線層電連接。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基層形成所述第二再布線層之后，包括：在所述第二再布線層背對所述玻璃基層的一側至少再形成一再布線層；

所述在所述第二再布線層背對所述玻璃基層的一側至少再形成一再布線層包括：

在所述第二再布線層背對所述玻璃基層的表面形成第一介電層，并在所述第一介電層上設置第三開口；

在所述第一介電層背對所述玻璃基層的表面形成第二種子層；

在所述第二種子層背對所述玻璃基層的表面形成第二掩膜層，并在所述第二掩膜層設置第四開口；

在所述第四開口內形成第三再布線層；

去除所述第二掩膜層以及所述第三再布線層以外的第二種子層；

其中，所述第二再布線層、所述第二種子層、所述第三再布線層電連接。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述玻璃基層背向所述焊盤的一側形成所述第一再布線層包括：

在所述玻璃基層背對所述焊盤的一側形成第三種子層，所述第三種子層與所述玻璃基層直接接觸；

在所述第三種子層背對所述玻璃基層的表面形成第三掩膜層，并在所述第三掩膜層上形成第五開口；

在所述第五開口內形成所述第一再布線層；

去除所述第三掩膜層以及所述第一再布線層以外的第三種子層；其中，所述第一再布線層、所述第三種子層與所述焊盤電連接；

在所述第一再布線層背對所述玻璃基層的表面設置第一阻擋層，并在所述第一阻擋層上形成第六開口。

8.一種封裝基板，其特征在于，所述封裝基板包括：玻璃基層、焊盤及第一再布線層，其中，所述焊盤設置于所述玻璃基層一側，所述第一再布線層設置于所述玻璃基層的另一側，所述焊盤和所述第一再布線層電連接。

9.根據權利要求8所述的封裝基板，其特征在于，

所述封裝基板還包括第二再布線層，所述第二再布線層設置于所述焊盤之上且電連接所述焊盤。

10.根據權利要求8所述的封裝基板，其特征在于，

所述玻璃基層背對所述焊盤的一側形成有通孔，所述通孔的位置對應所述焊盤的位置，以使得所述第一再布線層通過所述通孔與所述焊盤電連接。

11.根據權利要求10所述的封裝基板，其特征在于，

所述通孔通過激光或者蝕刻或者光刻的方法形成；其中，所述激光方法或所述光刻方法形成的所述通孔的截面為矩形，所述蝕刻方法形成的所述通孔的截面為弧形。