[發明專利]顯示裝置、陣列基板及其制備方法有效
| 申請號: | 201710736947.2 | 申請日: | 2017-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107546234B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 王文濤;史大為;楊璐;徐海峰;姚磊;閆雷;薛進進;候林;王金鋒;司曉文;閆芳;王培;劉國梁 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 陣列 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了顯示裝置、陣列基板及其制備方法。根據本發明的實施例,該陣列基板包括:襯底;平坦化層,所述平坦化層設置在所述襯底上,所述平坦化層具有第一過孔;鈍化層,所述鈍化層設置在所述平坦化層遠離所述襯底的一側,所述鈍化層具有第二過孔,其中,所述第一過孔與所述第二過孔在所述襯底上的投影不重疊。由此,平坦化層過孔與鈍化層過孔未形成套孔結構,緩解了顯示裝置在顯示時產生顯示不均的現象,提高了產品良率,降低了生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體地,涉及顯示裝置、陣列基板及其制備方法。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)是液晶顯示器中的一種,它使用薄膜晶體管技術來改善影象的品質,提高顯示質量和整體性能。TFT-LCD以其大容量、高清晰度和高品質全真彩色受到人們的青睞,并廣泛的應用于電視、平面顯示器、投影機以及電子設備中。TFT-LCD是利用陣列基板與彩膜基板,對盒設置形成一個液晶盒,再經過后序工藝如偏光片貼覆等過程,最后形成液晶顯示裝置。其中,陣列基板是TFT-LCD的重要組成之一。
然而,目前的顯示裝置、陣列基板及其制備方法,仍有待改進。
發明內容
本發明是基于發明人對于以下事實和問題的發現和認識作出的:
雖然目前的陣列基板制備工藝日趨成熟,但仍存在多種顯示不良等問題。發明人發現,上述不良,例如由于像素電極層與薄膜晶體管之間接觸不良而導致的顯示不均等不良,主要是由于目前的陣列基板在制備過程中,為了使電信號由薄膜晶體管的源漏電極傳至像素電極層,中間絕緣的平坦化層以及鈍化層均需設置有過孔通道,才能將源漏電極和像素電極層進行搭接并使電信號通過。現有的過孔搭接技術普遍使用套孔結構,即將鈍化層過孔(PVX Hole)設置在平坦化層過孔(PLN Hole)的正中央,形成一個套孔結構(大孔套小孔)。而在設置套孔結構時,一方面,平坦化層過孔不能設計太大,過孔太大會使PI液無法正常填充,并且也會使PS層的支撐受到影響,進而影響液晶量范圍(LC Margin);另一方面,鈍化層過孔不能設計太小,過孔太小無法確??涛g的臨界尺寸(Critical Dimension CD)均一性,并且受限于曝光機的精度。以上兩種限制使得鈍化層過孔與平坦化層過孔覆蓋(Overlay)不太好的情況下,鈍化層過孔偏離平坦化層過孔的中央至平坦化層過孔的側壁上,此時,當鈍化層過孔在平坦化層過孔側壁上被定義時,其坡度角(Taper angle)很大,像素電極層通過鈍化層過孔和平坦化層過孔進行搭接時,會在鈍化層過孔的邊緣產生斷裂的風險,并且像素電極層與薄膜晶體管的源漏電極的接觸面積也會受影響,造成接觸電阻變大。因此,使顯示裝置在顯示時產生污漬類的不良(Mura),影響產品良率。
本發明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問題中至少一個。
在本發明的一個方面,本發明提出了一種陣列基板。根據本發明的實施例,該陣列基板包括:襯底;平坦化層,所述平坦化層設置在所述襯底上,所述平坦化層具有第一過孔;鈍化層,所述鈍化層設置在所述平坦化層遠離所述襯底的一側,所述鈍化層具有第二過孔,其中,所述第一過孔與所述第二過孔在所述襯底上的投影不重疊。由此,平坦化層過孔與鈍化層過孔未形成套孔結構,緩解了顯示裝置在顯示時產生顯示不均的現象,提高了產品良率,降低了生產成本。
根據本發明的實施例,該陣列基板進一步包括:薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述襯底上,所述薄膜晶體管遠離所述襯底的一側設置有源漏電極,所述平坦化層設置在所述源漏電極遠離所述襯底的一側;連接層,所述連接層設置在所述平坦化層與所述鈍化層之間;像素電極層,所述像素電極層設置在所述鈍化層遠離所述連接層的一側,其中,所述連接層通過所述第一過孔以及所述第二過孔,分別與所述源漏電極以及所述像素電極層相連。由此,連接層可以簡便的通過平坦化層過孔與鈍化層過孔將源漏電極和像素電極層連接,增大接觸面積,減少接觸電阻,避免了像素電極層在鈍化層過孔邊緣產生斷裂,提高產品良率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





