[發(fā)明專利]顯示裝置、陣列基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710736947.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107546234B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文濤;史大為;楊璐;徐海峰;姚磊;閆雷;薛進(jìn)進(jìn);候林;王金鋒;司曉文;閆芳;王培;劉國(guó)梁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；平坦化層，所述平坦化層設(shè)置在所述襯底上，所述平坦化層具有第一過(guò)孔；

鈍化層，所述鈍化層設(shè)置在所述平坦化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述鈍化層具有第二過(guò)孔，

其中，所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔在所述襯底上的投影不重疊，

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述襯底上，所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)設(shè)置有源漏電極，所述平坦化層設(shè)置在所述源漏電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

連接層，所述連接層設(shè)置在所述平坦化層與所述鈍化層之間；

像素電極層，所述像素電極層設(shè)置在所述鈍化層遠(yuǎn)離所述連接層的一側(cè)，

其中，所述連接層通過(guò)所述第一過(guò)孔以及所述第二過(guò)孔，分別與所述源漏電極以及所述像素電極層相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述連接層在所述襯底上的投影覆蓋所述第一過(guò)孔在所述襯底上的投影，以及所述第二過(guò)孔在所述襯底上的投影。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，形成所述連接層的材料包括金屬以及透明導(dǎo)電材料的至少之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括：

公共電極，所述公共電極與所述連接層同層且間隔設(shè)置，所述公共電極以及所述連接層是同步形成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述襯底上，所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)設(shè)置有源漏電極；

平坦化層，所述平坦化層設(shè)置在所述源漏電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述平坦化層在與所述源漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)具有第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔貫穿所述平坦化層；

連接層，所述連接層為導(dǎo)電材料形成的，所述連接層設(shè)置在所述平坦化層遠(yuǎn)離所述源漏電極的一側(cè)，所述連接層覆蓋所述第一過(guò)孔且在所述第一過(guò)孔處與所述源漏電極相連；

公共電極，所述公共電極與所述連接層同層且間隔設(shè)置；

鈍化層，所述鈍化層設(shè)置在所述連接層遠(yuǎn)離所述平坦化層的一側(cè)，所述鈍化層在與所述連接層對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)具有第二過(guò)孔；

像素電極層，所述像素電極層設(shè)置在所述鈍化層遠(yuǎn)離所述連接層的一側(cè)，所述像素電極覆蓋所述第二過(guò)孔且在所述第二過(guò)孔處與所述連接層相連，

其中，所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔在所述襯底上的投影不重疊。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。

7.一種制備陣列基板的方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成平坦化層；

在所述平坦化層上設(shè)置第一過(guò)孔；

在所述平坦化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，形成鈍化層；

在所述鈍化層上設(shè)置第二過(guò)孔，并令所述第二過(guò)孔在所述襯底上的投影，與所述第一過(guò)孔在所述襯底上的投影不重疊，

在形成所述平坦化層之前，預(yù)先在所述襯底上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)具有源漏電極；

形成所述平坦化層之后，在與所述源漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成第一過(guò)孔；

在所述平坦化層遠(yuǎn)離所述源漏電極的一側(cè)，且與所述源漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成連接層，所述連接層覆蓋所述第一過(guò)孔，所述連接層與所述源漏電極通過(guò)所述第一過(guò)孔連接；

形成公共電極，所述公共電極與所述連接層同層且間隔設(shè)置；

在形成所述鈍化層之后，形成第二過(guò)孔，并暴露所述第二過(guò)孔處的所述連接層；

在所述鈍化層遠(yuǎn)離所述連接層的一側(cè)形成像素電極層，所述像素電極層覆蓋所述第二過(guò)孔，且與所述連接層相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

在形成所述平坦化層之前，預(yù)先在所述襯底上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)具有源漏電極；

形成所述平坦化層之后，在與所述源漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成第一過(guò)孔；

在所述平坦化層遠(yuǎn)離所述源漏電極的一側(cè)形成透明導(dǎo)電層；

通過(guò)構(gòu)圖工藝，利用所述透明導(dǎo)電層形成連接層以及公共電極，所述連接層覆蓋所述第一過(guò)孔且在所述第一過(guò)孔處與所述源漏電極相連；

在形成所述鈍化層之后，形成第二過(guò)孔，并暴露所述第二過(guò)孔處的所述連接層；

在所述鈍化層遠(yuǎn)離所述連接層的一側(cè)形成像素電極層，所述像素電極層覆蓋所述第二過(guò)孔，且與所述連接層相連。