[發(fā)明專利]一種硅片清洗設(shè)備及清洗工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710735930.5
• 申請(qǐng)日: 2017-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN107639070A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古元甲;劉曉偉;劉濤;劉琦;李偉;劉沛然;孫昊;孫毅;石海濤;秦焱澤;楊旭洲;田志民;李方樂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): B08B3/08
• 分類號(hào): B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00
• 代理公司: 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)12213
• 代理人: 欒志超

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太陽能材料生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種硅片清洗設(shè)備及清洗工藝。

背景技術(shù)

隨著光伏行業(yè)的快速發(fā)展，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。提高產(chǎn)品品質(zhì)、降低生產(chǎn)成本是企業(yè)提高競(jìng)爭(zhēng)力的主要途徑之一。在硅片生產(chǎn)的過程中，清洗設(shè)備及清洗工藝是必不可少的也是至關(guān)重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，現(xiàn)有的清洗設(shè)備及清洗工藝，能耗大，不利于節(jié)能環(huán)保，清洗后的一部分硅片仍然會(huì)有殘留，導(dǎo)致臟片率高，而且清洗能力不足會(huì)造成的后道制絨沾污問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有技術(shù)中硅片清洗設(shè)備及清洗工藝的清洗能力不足，能耗大，不利于節(jié)能環(huán)保的問題，提供一種清洗設(shè)備及清洗工藝。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種硅片清洗設(shè)備，依次包括，

預(yù)清洗部：將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；

藥液清洗部：去除硅片表面的油污；

第一漂洗部：去除硅片表面殘留的藥液；

化學(xué)液清洗部：去除有機(jī)物；

第二漂洗部：去除硅片表面的化學(xué)液；

慢提拉部：使硅片表面水分均勻。

進(jìn)一步地，所述預(yù)清洗部依次包括儲(chǔ)液器0和儲(chǔ)液器1，所述藥液清洗部依次包括儲(chǔ)液器2、儲(chǔ)液器3和儲(chǔ)液器4，所述第一漂洗部包括儲(chǔ)液器5，所述化學(xué)液清洗部包括儲(chǔ)液器6，所述第二漂洗部依次包括儲(chǔ)液器7、儲(chǔ)液器8、儲(chǔ)液器9和儲(chǔ)液器10，所述慢提拉部包括儲(chǔ)液器11。

進(jìn)一步地，所述儲(chǔ)液器8、儲(chǔ)液器9和儲(chǔ)液器10的外沿均設(shè)置坡度，且所述儲(chǔ)液器8的最高外沿低于所述儲(chǔ)液器9的最低外沿，所述儲(chǔ)液器9的最高外沿低于所述儲(chǔ)液器10的最高外沿。

進(jìn)一步地，所述儲(chǔ)液器8與所述儲(chǔ)液器0之間設(shè)置第一周轉(zhuǎn)水箱和第一循環(huán)泵，用于將儲(chǔ)液器8內(nèi)的液體泵入所述儲(chǔ)液器0內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述儲(chǔ)液器11與所述儲(chǔ)液器10之間設(shè)置第二周轉(zhuǎn)水箱和第二循環(huán)泵，用于將儲(chǔ)液器11內(nèi)的液體泵入所述儲(chǔ)液器10內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述儲(chǔ)液器內(nèi)均包括注水口、出水口、加熱管、液位傳感器和PLC控制器，所述注水口和所述出水口設(shè)置在所述容器底部，所述PLC控制器控制所述加熱管，所述液位傳感器設(shè)置在所述容器內(nèi)壁。

一種清洗硅片清洗工藝，依次包括如下步驟：

預(yù)清洗：硅片依次在儲(chǔ)液器0和儲(chǔ)液器1內(nèi)清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；

藥液清洗：將預(yù)清洗后的硅片依次在儲(chǔ)液器2和儲(chǔ)液器3和儲(chǔ)液器4內(nèi)清洗，去除硅片表面的油污；

第一次漂洗：將藥液清洗后的硅片浸泡在儲(chǔ)液器5內(nèi)，去除硅片表面殘留的藥液；

化學(xué)液清洗：將第一次漂洗后的硅片浸泡在儲(chǔ)液器6內(nèi)，去除有機(jī)物；

第二次漂洗：將化學(xué)液清洗后的硅片依次浸泡在儲(chǔ)液器7、儲(chǔ)液器8、儲(chǔ)液器9和儲(chǔ)液器10內(nèi)去除硅片表面的化學(xué)液；

慢提拉：將第二次漂洗后的硅片浸泡在儲(chǔ)液器11內(nèi)，通過機(jī)械手移除液面，使硅片表面水分均勻；

進(jìn)一步地，所述化學(xué)液清洗采用濃度為10％-20％的氫氧化鉀溶液和15％-16％的雙氧水溶液的混合液，所述氫氧化鉀溶液與所述雙氧水溶液的體積比為1:2。

進(jìn)一步地，所述化學(xué)液清洗的溫度為40℃，清洗時(shí)間為240s。

進(jìn)一步地，所述預(yù)清洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用純水清洗，清洗溫度為40℃，清洗時(shí)間為240s。

本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：

1.硅片清洗設(shè)備通過依次設(shè)置的預(yù)清洗部、藥液清洗部、第一漂洗部、化學(xué)液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部組成，結(jié)合清洗液的作用，有效地改善了硅片表面的清洗效果，實(shí)現(xiàn)臟片率降低0.2％，制絨沾污不良降低0.8％，提高清洗效率和清洗質(zhì)量。

2.化學(xué)液清洗采用氫氧化鉀和雙氧水溶液的混合液清洗，利用氧化-溶解-氧化-溶解的動(dòng)態(tài)平衡反應(yīng)，提高硅片表面的潔凈度，提高了清洗能力，解決了由于清洗能力不足造成的后道制絨玷污的問題。

3.通過8槽、9槽、10槽設(shè)置為單邊溢流，并且在8槽和0槽之間以及在11槽和10槽之間設(shè)置周轉(zhuǎn)水箱和循環(huán)泵，周轉(zhuǎn)水箱2并連接清洗槽體，換液時(shí)槽體內(nèi)直接注入40℃溫水，換液工時(shí)減少60％，單片水耗降低166％，清洗產(chǎn)量輸出提高7.5％。

4.通過儲(chǔ)液器內(nèi)設(shè)置注水口、出水口、加熱管、液位傳感器和PLC控制器，實(shí)現(xiàn)清洗槽內(nèi)的水位自動(dòng)控制，具有生產(chǎn)效率高、清洗產(chǎn)品質(zhì)量高、節(jié)能環(huán)保、使用方便、操作簡(jiǎn)單易行的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的硅片清洗工藝流程示意圖；