[發(fā)明專利]一種硅片清洗設備及清洗工藝

在審

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• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107639070A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設計）人: 古元甲;劉曉偉;劉濤;劉琦;李偉;劉沛然;孫昊;孫毅;石海濤;秦焱澤;楊旭洲;田志民;李方樂
• 申請（專利權）人: 天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙)12213
• 代理人: 欒志超

1.一種硅片清洗設備，其特征在于：依次包括，

預清洗部：將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；

藥液清洗部：去除硅片表面的油污；

第一漂洗部：去除硅片表面殘留的藥液；

化學液清洗部：去除有機物；

第二漂洗部：去除硅片表面的化學液；

慢提拉部：使硅片表面水分均勻。

2.根據權利要求1所述的硅片清洗設備，其特征在于：所述預清洗部依次包括儲液器0和儲液器1，所述藥液清洗部依次包括儲液器2、儲液器3和儲液器4，所述第一漂洗部包括儲液器5，所述化學液清洗部包括儲液器6，所述第二漂洗部依次包括儲液器7、儲液器8、儲液器9和儲液器10，所述慢提拉部包括儲液器11。

3.根據權利要求2所述的硅片清洗設備，其特征在于：所述儲液器8、儲液器9和儲液器10的外沿均設置坡度，且所述儲液器8的最高外沿低于所述儲液器9的最低外沿，所述儲液器9的最高外沿低于所述儲液器10的最高外沿。

4.根據權利要求2或3所述的硅片清洗設備，其特征在于：所述儲液器8與所述儲液器0之間設置第一周轉水箱和第一循環(huán)泵，用于將儲液器8內的液體泵入所述儲液器0內。

5.根據權利要求2所述的硅片清洗設備，其特征在于：所述儲液器11與所述儲液器10之間設置第二周轉水箱和第二循環(huán)泵，用于將儲液器11內的液體泵入所述儲液器10內。

6.根據權利要求2所述的硅片清洗設備，其特征在于：所述儲液器內均包括注水口、出水口、加熱管、液位傳感器和PLC控制器，所述注水口和所述出水口設置在所述容器底部，所述PLC控制器控制所述加熱管，所述液位傳感器設置在所述容器內壁。

7.一種清洗硅片清洗工藝，其特征在于：依次包括如下步驟：

預清洗：硅片依次在儲液器0和儲液器1內清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；

藥液清洗：將預清洗后的硅片依次在儲液器2和儲液器3和儲液器4內清洗，去除硅片表面的油污；

第一次漂洗：將藥液清洗后的硅片浸泡在儲液器5內，去除硅片表面殘留的藥液；

化學液清洗：將第一次漂洗后的硅片浸泡在儲液器6內，去除有機物；

第二次漂洗：將化學液清洗后的硅片依次浸泡在儲液器7、儲液器8、儲液器9和儲液器10內去除硅片表面的化學液；

慢提拉：將第二次漂洗后的硅片浸泡在儲液器11內，通過機械手移除液面，使硅片表面水分均勻。

8.根據權利要求7所述的一種清洗硅片清洗工藝，其特征在于：所述化學液清洗采用濃度為10％-20％的氫氧化鉀溶液和15％-16％的雙氧水溶液的混合液，所述氫氧化鉀溶液與所述雙氧水溶液的體積比為1:2。

9.根據權利要求7或8所述的一種清洗硅片清洗工藝，其特征在于：所述化學液清洗的溫度為40±2℃，清洗時間為240s。

10.根據權利要求7所述的一種清洗硅片清洗工藝，其特征在于：所述預清洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用純水清洗，清洗溫度為40±2℃，清洗時間為240s。