[發明專利]極紫外光微影設備、標靶材料供應系統與方法

有效

• 申請號: 201710735382.6
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN109426084B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 賴韋志;鄭力凱;張漢龍;劉柏村;陳立銳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

本公開提供一種標靶材料供應系統，包括一標靶液滴產生器、一標靶液滴收集器及一標靶材料處理裝置。標靶液滴產生器配置以產生多個標靶液滴，可供一極紫外光微影設備利用以產生極紫外光。標靶液滴收集器配置以收集上述標靶液滴的未被利用部分。標靶材料處理裝置配置以將一熔融狀態的一標靶材料供應至標靶液滴產生器，及配置以將從標靶液滴收集器回收的標靶液滴的未被利用部分重新供應至標靶液滴產生器。

技術領域

本發明實施例關于一種半導體技術，特別有關于一種極紫外光(extremeultraviolet，EUV)微影設備及其標靶材料供應系統與方法。

背景技術

近年來，半導體集成電路經歷了指數級的成長。在集成電路材料以及設計上的技術進步下，產生了多個世代的集成電路，其中每一世代較前一世代具有更小更復雜的電路。在集成電路發展的過程中，當幾何尺寸(亦即制程中所能產出的最小元件或者線)縮小時，功能密度(亦即每一芯片區域所具有的互連裝置的數目)通常會增加。一般而言，此種尺寸縮小的制程可提供增加生產效率以及降低制造成本的好處，然而，此種尺寸縮小的制程也增加了制造與生產集成電路的復雜度。

舉例來說，使用較高解析度的微影制程的需求成長了。一種微影技術稱為極紫外光微影技術(extreme ultraviolet lithography，EUVL)，此種技術利用了使用波長范圍約在1-100納米的極紫外光(EUV)的掃描器(scanner)。由于極紫外光對于各種物質而言都容易被吸收，所以無法使用像現有的應用可見光或紫外光的光微影技術的折射式光學系統，因此在極紫外光微影設備中所采用的是反射式光學系統，亦即反射式掩模及反射鏡。一種極紫外光光源采用激光激勵等離子體(laser-produced plasma，LPP)技術，此種技術通過將一高功率激光光束聚焦在微小的摻錫液滴標靶上以形成高度離子化等離子體，進而由高度離子化等離子體發出波長約在13.5納米的極紫外光。

雖然現有的極紫外光微影技術及設備已經足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，需要提供一種改善極紫外光微影制程的方案。

發明內容

本公開一些實施例提供一種標靶材料供應系統，包括一標靶液滴產生器、一標靶液滴收集器及一標靶材料處理裝置。標靶液滴產生器配置以產生多個標靶液滴，標靶液滴供一極紫外光微影設備利用以產生極紫外光。標靶液滴收集器配置以收集上述標靶液滴的未被利用部分。標靶材料處理裝置配置以將一熔融狀態的一標靶材料供應至標靶液滴產生器，及配置以將從標靶液滴收集器回收的標靶液滴的未被利用部分重新供應至標靶液滴產生器。

本公開一些實施例提供一種極紫外光微影設備，包括一光源腔室、一標靶液滴產生器、一激光光源、一集光鏡、一標靶液滴收集器及一標靶材料處理裝置。標靶液滴產生器配置以在光源腔室中產生多個標靶液滴。激光光源配置以產生一激光光束，激光光束用以激發標靶液滴而產生極紫外光。集光鏡設置于光源腔室中，用以收集極紫外光。標靶液滴收集器配置以收集上述標靶液滴的未被利用部分。標靶材料處理裝置設于光源腔室外，配置以將一熔融狀態的一標靶材料以供應至標靶液滴產生器，及配置以將從標靶液滴收集器回收的標靶液滴的未被利用部分重新供應至標靶液滴產生器。

本公開一些實施例提供一種標靶材料供應方法，包括通過一標靶材料處理裝置將一熔融狀態的一標靶材料供應至一標靶液滴產生器。上述標靶材料供應方法更包括通過標靶液滴產生器產生多個標靶液滴，標靶液滴供一極紫外光微影設備利用以產生極紫外光。上述標靶材料供應方法亦包括通過一標靶液滴收集器收集上述標靶液滴的未被利用部分。此外，上述標靶材料供應方法包括通過標靶材料處理裝置將從標靶液滴收集器回收的標靶液滴的未被利用部分重新供應至標靶液滴產生器。

附圖說明

圖1顯示根據一些實施例的一具有極紫外光光源的微影設備的示意圖。

圖2顯示圖1中微影設備的極紫外光光源的示意圖。

圖3顯示根據一些實施例的一標靶材料供應系統的示意圖。