[發明專利]周緣部處理裝置及周緣部處理方法有效
| 申請號: | 201710735250.3 | 申請日: | 2017-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107785293B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發明(設計)人: | 稻垣幸彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B05C5/00 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 周緣 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供一種周緣部處理裝置及周緣部處理方法。由旋轉夾具保持基板,來使該基板旋轉。從噴出部向由旋轉夾具旋轉的基板噴出處理液。噴出部具有沿著一方向排列的多個噴出口,能夠從多個噴出口分別選擇性地噴出處理液。在噴出部的多個噴出口的排列橫穿由旋轉夾具旋轉的基板的周緣部、且與周緣部相向的狀態下,向周緣部的內緣到外側供給處理液。不向比基板的周緣部的內緣更靠內的內側供給處理液。
技術領域
本發明涉及使用處理液處理基板的周緣部的周緣部處理裝置及周緣部處理方法。
背景技術
在基板處理裝置中,由旋轉夾具支撐為水平的基板旋轉。在該狀態下,從噴嘴向基板的上表面的大致中央部噴出處理液,從而向基板的整個表面供給處理液。之后,通過進行規定的熱處理,在基板的表面形成由處理液而成的薄膜。此處,如果在基板的周緣部形成薄膜,則在用于搬運基板的搬運裝置把持基板的周緣部時,膜剝離而成為顆粒。因此,在向基板的整個表面供給處理液后,進行去除基板的周緣部的處理液的處理(例如,參照日本特開2001-110712號公報)。
在日本特開2001-110712號公報的涂敷膜去除裝置中,由旋轉夾具保持的基板的周緣部的位置是由檢測機構檢測的。在該狀態下,通過使旋轉夾具旋轉360°,獲取:旋轉夾具的旋轉相位及與該旋轉相位對應的基板的周緣部的位置。通過從沖洗液噴出噴嘴向旋轉的基板的周緣部噴出沖洗液,去除基板的周緣部的抗蝕液。在噴出沖洗液時,由定位機構調整旋轉夾具的位置或沖洗液噴出噴嘴的位置,以便補償與伴隨旋轉夾具的旋轉而產生的基板的周緣部的位置變動相應的量。
在日本特開2001-110712號公報中記載了,能夠高精度地去除形成于基板的周緣部的不需要的涂敷膜。但是,在日本特開2001-110712號公報的方法中,在去除后的涂敷膜的外周部產生隆起。因此,不能準確地控制基板的周緣部的涂敷膜的形狀,難以高精度地處理基板的周緣部。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種周緣部處理裝置及周緣部處理方法,能夠高精度地進行基板的周緣部的處理。
(1)本發明的一方面的周緣部處理裝置,對具有至少一部分為圓形的外周部的基板的一面的、沿著所述外周部的環狀的周緣部進行處理,其中,所述周緣部處理裝置具備:旋轉保持部,保持基板并使該基板旋轉;噴出部,具有沿著一方向排列的多個噴出口,能夠從多個噴出口分別選擇性地噴出處理液;以及,噴出控制部,在噴出部的多個噴出口的排列橫穿由旋轉保持部旋轉的基板的周緣部、且與周緣部相向的狀態下,控制從噴出部的多個噴出口噴出處理液,使得不向比周緣部的內緣更靠內的內側供給處理液,而向周緣部的內緣到外側供給處理液。
在該周緣部處理裝置中,由旋轉保持部保持基板,并使該基板旋轉。從噴出部向由旋轉保持部旋轉的基板噴出處理液。此處,噴出部具有沿著一方向排列的多個噴出口,能夠從多個噴出口分別選擇性地噴出處理液。在噴出部的多個噴出口的排列橫穿由旋轉保持部旋轉的基板的周緣部、且與周緣部相向的狀態下,向周緣部的內緣到外側供給處理液。
根據該結構,不從噴出部向比基板的周緣部的內緣更靠內的內側供給處理液。另外,在向基板的周緣部的內緣到外側供給處理液時,無需用高壓噴出處理液。因此,降低從基板的一面處理液濺回的情況,從而能夠防止處理液濺回到比基板的周緣部的內緣更靠內的內側。由此,能夠高精度地進行基板W的周緣部的處理。
(2)周緣部處理裝置可以還具備:位置變化檢測部,檢測由旋轉保持部旋轉的基板的外周部的位置的變化,以及,噴出口決定部,基于由位置變化檢測部檢測到的基板的外周部的位置的變化,決定:由旋轉保持部保持的基板的旋轉角度和多個噴出口中的應該噴出處理液的一個以上的噴出口之間的關系;噴出控制部基于由旋轉保持部旋轉的基板的旋轉角度和由噴出口決定部決定的關系,使噴出部的多個噴出口中的一個以上的噴出口噴出處理液。根據該結構,即使在基板的中心相對于旋轉保持部的旋轉中心偏心的情況下,也能夠高精度地進行基板的周緣部的處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





