[發明專利]周緣部處理裝置及周緣部處理方法有效
| 申請號: | 201710735250.3 | 申請日: | 2017-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107785293B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發明(設計)人: | 稻垣幸彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B05C5/00 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 周緣 處理 裝置 方法 | ||
1.一種周緣部處理裝置,對具有至少一部分為圓形的外周部的基板的一面的、沿著所述外周部的環狀的周緣部進行處理,其中,
所述周緣部處理裝置具備:
旋轉保持部,保持所述一面形成有膜的基板并使該基板旋轉;
噴墨式的頭部,具有沿著一方向排列的多個噴出口,能夠從所述多個噴出口分別選擇性地噴出處理液;以及,
噴出控制部,在周緣部處理時,在所述頭部的所述多個噴出口的排列橫穿由所述旋轉保持部旋轉的基板的所述周緣部、與所述周緣部相向且進行了所述頭部相對于基板的定位的狀態下,對應于基板的旋轉角度來選擇應該噴出處理液的噴出口和不應該噴出處理液的噴出口,以從被選擇為應該噴出處理液的噴出口噴出處理液且不從被選擇為不應該噴出處理液的噴出口噴出處理液的方式,控制從所述頭部的所述多個噴出口噴出處理液,使得不向比所述周緣部的內緣更靠內的內側供給處理液,而向所述周緣部的內緣到外側供給處理液,
所述多個噴出口將去除液作為處理液噴出,所述去除液用于去除在基板的所述周緣部形成的膜。
2.根據權利要求1所述的周緣部處理裝置,其中,
還具備:
位置變化檢測部,檢測由所述旋轉保持部旋轉的基板外周部的位置變化,以及,
噴出口決定部,基于由所述位置變化檢測部檢測到的基板外周部的位置變化,決定:由所述旋轉保持部保持的基板的旋轉角度和所述多個噴出口中的應該噴出處理液的一個以上的噴出口之間的關系;
所述噴出控制部基于由所述旋轉保持部旋轉的基板的旋轉角度和由所述噴出口決定部決定的關系,使所述頭部的所述多個噴出口中的一個以上的噴出口噴出處理液。
3.根據權利要求2所述的周緣部處理裝置,其中,
所述位置變化檢測部包括位置關系檢測部,所述位置關系檢測部針對基板的每個旋轉角度,檢測由所述旋轉保持部旋轉的基板的外周部的位置和所述頭部的所述多個噴出口的位置之間的關系,
所述噴出口決定部基于由所述位置關系檢測部檢測到的關系,決定:由所述旋轉保持部保持的基板的旋轉角度和所述多個噴出口中的應該噴出處理液的一個以上的噴出口之間的關系。
4.根據權利要求3所述的周緣部處理裝置,其中,
所述位置關系檢測部生成表示基板的外周部和所述頭部的圖像的圖像數據,基于生成的圖像數據,檢測基板的外周部的位置和所述頭部的所述多個噴出口的位置之間的關系。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的周緣部處理裝置,其中,
所述噴出口決定部將與基板的周緣部的內緣相向的噴出口、與比所述內緣更靠外側的區域相向的噴出口,決定為所述多個噴出口中應該噴出處理液的一個以上的第一噴出口,
所述噴出控制部使由所述噴出口決定部決定的所述一個以上的第一噴出口噴出處理液。
6.根據權利要求5所述的周緣部處理裝置,其中,
所述噴出口決定部決定表示由所述旋轉保持部旋轉的基板的外周部的位置變化的周期曲線,并且基于所述周期曲線,決定所述一個以上的第一噴出口。
7.根據權利要求2至4中任一項所述的周緣部處理裝置,其中,
所述噴出口決定部基于由所述位置變化檢測部檢測到的關系,將比基板的外周部位于外側的噴出口,決定為所述多個噴出口中不應該噴出處理液的一個以上的第二噴出口,
所述噴出控制部不使由所述噴出口決定部決定的所述一個以上的第二噴出口噴出處理液。
8.根據權利要求2至4中任一項所述的周緣部處理裝置,其中,
還具備:
移動部,使所述頭部移動到與由所述旋轉保持部保持的基板的所述周緣部相向的位置,以及,
移動控制部,控制所述移動部的動作;
所述移動控制部基于由所述位置變化檢測部檢測到的基板外周部的位置變化控制所述移動部,以使所述多個噴出口的排列橫穿由所述旋轉保持部旋轉的基板的所述周緣部、且移動到與所述周緣部相向的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





