[發明專利]半導體裝置封裝和其制造方法

有效

• 申請號: 201710733607.4
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN107644853B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 楊燾境;黃國峰;粘為裕
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/538;H01L23/544;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/60;H01L25/065;H01L23/488
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體裝置封裝，其包括：

襯底；

多個電組件，其設置于所述襯底上；

導電框架，設置于所述襯底面上，所述導電框架包括：

頂部部分，具有至少一個開口；

邊沿，連接所述頂部部分，且所述邊沿環繞多個電組件；以及

至少一隔室，從導電框架的頂部部分延伸并使所述多個電組件中至少一個或多個電組件與其它電組件分離；以及

電磁干擾屏蔽體，其與所述導電框架的所述頂部部分和所述導電框架的所述邊沿接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中至少一個電組件從至少一個開口暴露。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置封裝，其中所述導電框架的所述頂部部分的一頂部表面大體上與至少一電組件的一頂部表面共面。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置封裝，其中與所述導電框架的所述頂部部分的所述頂部表面大體上共面的所述電組件在所述半導體封裝中的所有電組件中垂直延伸最高。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其進一步包括一連接部件設置在襯底與所述導電框架之間。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其進一步包括形成于所述導電框架的所述頂部部分中的圖案。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其進一步包括形成于所述電磁干擾屏蔽體中的圖案。

8.權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述電磁干擾屏蔽體包括一底部表面接觸所述導電框架的所述頂部部分及一側向表面接觸所述導電框架的所述邊沿。

9.一種半導體裝置封裝，其包括：

襯底；

多個電組件，其設置于所述襯底上；

導電框架，設置于所述襯底面上，所述導電框架包括：

頂部部分，具有至少一個開口暴露所述多個電組件中至少一個電組件；

至少一隔室，從導電框架的頂部部分延伸并使所述多個電組件中至少一個或多個電組件與其它電組件分離；以及

邊沿，連接所述頂部部分，且所述邊沿環繞所述至少一個電組件；以及

電磁干擾屏蔽體，其與所述導電框架的所述邊沿接觸和暴露於所述至少一個開口的至少一電組件中的至少一第一電組件接觸。

10.權利要求9所述的半導體裝置封裝，其進一步包括形成于所述電磁干擾屏蔽體的一底部表面上的至少一個絕緣墊，其中所述至少一個絕緣墊中的每一者接觸所述多個電組件中的一第二電組件。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置封裝，其中所述導電框架的所述頂部部分的一頂部表面大體上與所述多個電組件中暴露於所述至少一個開口的所述第一電組件或一第二電組件的一頂部表面共面。

12.根據權利要求9所述的半導體裝置封裝，其中接觸所述電磁干擾屏蔽體的所述第一電組件在所述半導體封裝中的所有電組件中垂直延伸最高。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置封裝，其進一步包括形成于所述導電框架的所述頂部部分中的圖案。

14.根據權利要求9所述的半導體裝置封裝，其進一步包括形成于所述電磁干擾屏蔽體中的圖案。