[發(fā)明專利]集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710731428.7
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN108122828B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘健豪;林長生;黃國峰;吳歷杰;林均潔
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/306;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在晶圓上方形成第一介電層；

蝕刻所述第一介電層以形成第一開口；

將含鎢材料填充到所述第一開口中；

對所述晶圓實施第一化學(xué)機械拋光(CMP)；以及

在所述第一化學(xué)機械拋光之后，使用弱堿溶液對所述晶圓實施第一清潔，以使得富碳層存在于所述含鎢材料的所有頂面上，并且同時在所述含鎢材料上形成底面為所述富碳層的凹槽，其中，所述凹槽設(shè)置為使得：當(dāng)通過位于含鎢材料上方并且與含鎢材料電連接的導(dǎo)電部件填充所述凹槽時，所述含鎢材料和所述導(dǎo)電部件之間不產(chǎn)生開路，

形成所述導(dǎo)電部件包括：在所述含鎢材料上方形成第二介電層，在所述第二介電層中形成第二開口以暴露所述含鎢材料，在所述第二開口中填充導(dǎo)電材料以形成所述導(dǎo)電部件，其中，所述導(dǎo)電部件比下面的所述含鎢材料窄并與所述含鎢材料的頂面接觸，在用于填充導(dǎo)電部件的所述第二開口的形成中不暴露含鎢材料的部分頂面，并使得所述部分頂面上的所述富碳層被保留，

其中，被保留的所述富碳層形成在所述含鎢材料和所述第二介電層之間并與所述含鎢材料和所述第二介電層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述弱堿溶液包括有機胺。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述有機胺包括C₅H₁₅NO₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述弱堿溶液的pH值在7.0和8.0的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括形成源極/漏極區(qū)，其中，所述含鎢材料的在所述第一化學(xué)機械拋光之后留下的部分用作接觸插塞，并且所述接觸插塞電連接至所述源極/漏極區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述富碳層包括有機胺和所述第二介電層的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述晶圓上方形成所述第二介電層；

蝕刻所述第二介電層以形成第三開口，其中，所述第三開口比所述第一開口寬；

將第二含鎢材料填充到所述第三開口中；

對所述晶圓實施第二化學(xué)機械拋光；以及

在所述第二化學(xué)機械拋光之后，使用酸性溶液或中性液體對所述晶圓實施第二清潔。

8.一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括：

形成具有與晶體管的柵極堆疊件處于相同水平的部分的層間電介質(zhì)(ILD)，其中，所述層間電介質(zhì)和所述柵極堆疊件是晶圓的部分；

蝕刻所述層間電介質(zhì)以形成源極/漏極接觸開口，其中，通過所述源極/漏極接觸開口暴露所述晶體管的源極/漏極區(qū)；

在所述晶圓上沉積第一含鎢材料，其中，所述第一含鎢材料包括填充所述源極/漏極接觸開口的部分；

對所述晶圓實施化學(xué)機械拋光(CMP)以去除所述第一含鎢材料的多余部分；

使用包括有機胺的清潔液清潔所述晶圓，其中，所述清潔液是弱堿溶液以使得富碳層存在于所述第一含鎢材料的所有頂面上，并且同時在所述第一含鎢材料上形成底面為所述富碳層的凹槽，其中，所述凹槽設(shè)置為使得：當(dāng)通過位于所述第一含鎢材料上方并且與所述第一含鎢材料電連接的導(dǎo)電部件填充所述凹槽時，所述第一含鎢材料和所述導(dǎo)電部件之間不產(chǎn)生開路；以及

干燥所述晶圓，

在所述第一含鎢材料上方形成介電層，其中，所述導(dǎo)電部件形成在所述介電層中，其中，所述導(dǎo)電部件比下面的所述第一含鎢材料窄并與所述第一含鎢材料的頂面接觸，在形成所述導(dǎo)電部件中不暴露所述第一含鎢材料的部分頂面，并使得所述部分頂面上的所述富碳層被保留，其中，被保留的富碳層形成在所述第一含鎢材料和所述介電層之間并與所述第一含鎢材料和所述介電層接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，從所述化學(xué)機械拋光完成的第一時間點至所述晶圓完全干燥的第二時間點，不使用中性液體來清潔所述晶圓。